1) Tungsten oxide nanowire arrays
氧化钨纳米线阵列
1.
Tungsten oxide nanowire arrays have been grown on indium tin oxide coated glass substrate using tungsten trioxide powders as source by thermal evaporation approach without any catalysts.
用热蒸发方法,无催化直接合成了具有尖端的氧化钨纳米线阵列。
4) iron oxide nanowire arrays
氧化铁纳米线阵列
1.
Highly ordered iron oxide nanowire arrays were prepared by sol-gel tem plate method within the pores of anodic alumina membrane (AAM).
氧化铁纳米线阵列的制备未见报导,因此氧化铁纳米线阵列的制备及其性质的研究具有重要的意义。
5) zinc oxide nanowire arrays
氧化锌纳米线阵列
1.
Highly ordered zinc oxide nanowire arrays were prepared by sol-gel method in the pores of anodic alumina membrane (AAM).
用溶胶-凝胶法在氧化铝模板(AAM)中制备了直径约为15,30,50,60 nm的有序氧化锌纳米线阵列。
6) tungsten oxide nanowires
氧化钨纳米线
1.
CO gas sensing properties of tungsten oxide nanowires sensing film
氧化钨纳米线敏感膜对CO气体的气敏性能
2.
The laser power effect on the structure of tungsten oxide nanowires has been studied.
本文利用拉曼光谱技术对氧化钨纳米线结构随激光功率改变而变化的情况进行了研究。
3.
Hexagonal tungsten oxide nanowires were prepared by a simple hydrothermal method.
采用简易水热法制备直径为10～20nm、长几百纳米至几微米的六方相氧化钨纳米线,比表面积高达130。
补充资料：氧化钨
CAS: 1314-35-8
分子式: WO3
分子质量: 231.85
熔点: 1473℃
中文名称: 氧化钨；三氧化钨；钨酸酐
英文名称: Tungsten oxide；Tungsten trioxide；Tungstic acid anhydride；Tungstic oxide；tungsten trioxide
分子式: WO3
分子质量: 231.85
熔点: 1473℃
中文名称: 氧化钨；三氧化钨；钨酸酐
英文名称: Tungsten oxide；Tungsten trioxide；Tungstic acid anhydride；Tungstic oxide；tungsten trioxide
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条