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1)  IV rectifier characteristic
IV整流特性
2)  I-V characteristic
IV特性
3)  intrinsic viscosity (IV)
特性粘度(IV)
4)  Rectifying properties
整流特性
1.
Improvement of rectifying properties of LSMO/Si heterojunction by SrMnO_3 barrier layer;
SrMnO_3阻挡层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/Si异质结整流特性的改善
2.
The I-U curve of Al/Al_2O_3 interface is measured and the mechanism of rectifying properties is analyzed.
利用扫描电子显微镜(SEM)对多孔氧化铝薄膜的结构形貌进行了表征,测量了Al/Al2O3界面的电流电压(I-U)特性曲线,并对多孔铝整流特性的机理进行了分析,很好地解释了交流电沉积的原因。
3.
Clear rectifying properties have been observed in a wide temperature range,and the lower doping concentration of the Nb: STO substrates is,the clearer the rectifying properties of the heterojunction.
异质结在很宽的温度范围内都表现出明显的整流特性,且Nb:STO基片的Nb掺杂浓度越低,异质结的整流效果就越明显。
5)  rectifier characteristic
整流器特性
6)  rectification characteristic
整流特性曲线
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8

性质:暂无

制备方法:暂无

用途:用于轻、中度原发性高血压。

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参考词条