1) Semiconductor optical microcavities
半导体光学微腔
2) semiconductor microcavity
半导体微腔
1.
Coupling between cavity mode and heavy-hole exciton and light-hole exciton in semiconductor microcavity;
半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合
2.
The quantum dynamics of an exciton dressed by acoustic phonons in an optically driven quantum dot-semiconductor microcavity at finite temperatures is investigated theoretically by quantum optics methods.
采用量子光学和极化子正则变换的方法研究了有限温度下半导体微腔中单量子点的激子动力学行为,并解析得到了激子真空拉比分裂随温度变化的函数关系。
3.
In the far from cutoff approximation the energies of empty cavity modes vs radii of three-dimension semiconductor microcavity are evaluated.
半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元 ,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式 。
3) micro-cavity semiconductor laser
微腔半导体激光器
1.
For micro-cavity semiconductor laser, station model is proposed in this paper and its steady-state and instantaneous characteristics when the coupling efficiency of spontaneous emission into a lasing mode is equal to 1 are analysised.
本文对于微腔半导体激光器，提出站模型，能够较直观简洁地分析微腔半导体激光器的稳态和瞬态特性，利用此模型对具有重要实用价值的β=1的微腔半导体激光器进行了讨论；对于电流I噪声、自发发射寿命τ_(sp)噪声、自发发射因子β噪声、光子寿命τ_p噪声，以及电流调制、τ_(sp)调制、β调制、τ_p调制，在小信号近似下，得到了相应的激光器的传递函数；在大信噪比的前提下，对激光器进行了频域分析，分别计算了它们在不同参数下的信噪比增益，分析了其抗噪声性能。
4) micro-cavity semiconductor lasers
微腔半导体激光器
1.
The current modulation bandwidth of micro-cavity semiconductor lasers versus the active volume is analyzed.
主要讨论了微腔半导体激光器电流调制带宽随有源区体积的变化规律 。
2.
The model gives theoretically direction of numerical simulation and designing micro-cavity semiconductor lasers with good properties.
对于具有大折射率衬比的氧化孔径层的方柱形垂直腔面发射微腔半导体激光器 ,基于Maxwell方程组的矢量解 ,推导了用于计算激光器阈值增益的理论模型 ,为数值模拟和微腔半导体激光器的最佳设计提供了理论依
5) semiconductor microcavity lasers
半导体微腔激光器
6) semiconductor planar micro-cavity
半导体平板微腔
补充资料：半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
electrical conductivity of semiconductor
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条