1) Si-H supercell
掺氢硅原胞
2) boron-doped a-Si:H
掺硼非晶氢化硅
3) a-Si:H film
掺氢非晶硅薄膜
4) silicon additives
掺硅
1.
The recrystallization textures of the tantalum wires with silicon additives(0.
采用显微硬度测量、取向分布函数 (ODF)分析及显微组织观察 ,研究了在不同退火温度以及掺硅与未掺硅条件下钽丝的再结晶行为。
5) hydrogen additive
掺氢
1.
Influence of hydrogen additive and excitation circuits on the output performance of barium vapor laser;
掺氢与激励电路对钡蒸气激光输出特性的影响
补充资料：氢化非晶硅（amorphousSi:H）
氢化非晶硅（amorphousSi:H）
含有大量硅氢键的非晶硅称为氢化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氢合金，a-Si:H中含氢量达3～50。a-Si:H通常采用辉光放电法或溅射法制备，其电导及光电性质密切依赖于制备条件。a-Si:H中的氢能够补偿非晶硅中大量存在的悬挂键，使其缺陷态密度大大降低，从而导致a-Si:H具有显著的掺杂效应，电导率可改变约10个量级。a-Si:H具有比晶体硅更高的光电导响应，光电导与暗电导比值可达104～105。a-Si:H的光学带隙约1.7eV，对整个太阳光谱的吸收系数大于104cm-1，1μm厚的a-Si:H薄膜可以实现对太阳光谱的完全吸收，因此它成为廉价太阳电池的基础材料。a-Si:H的另一重要用途是用a-Si:H制作的薄膜场效应管作为液晶显示屏的开关矩阵。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条