1) Zr-doped
掺锆
1.
The composite membranes were prepared by adding Zr-doped phosphorylated hybrid silicas into the porous matrix of PSF.
本文采用添加小粒径无机粒子的方法对聚砜进行亲水改性,首先通过溶胶—凝胶法制备出亲水性强的磷酸促进型掺锆杂化硅粒子(SZP粒子),然后将其填充到聚砜中制备出有机—无机复合膜。
4) zirconium and manganese adulterated
锆锰掺杂
5) Sn xZr 1-xO 2
钇掺杂锡锆
1.
Yttrium doped Sn xZr 1-xO 2 solid solution catalysts were prepared by the wet-incipient technique of impregnation Sn-Zr hydrous oxides with SnO 2 content of 60wt% using Y(NO 3) 3 solution.
本研究制备了钇掺杂锡锆固溶体催化剂 ,发现Y的最佳掺杂量为 6 % (wt) ,以尿素水解方法制备的水合锡锆氧化物为前体浸渍硝酸钇制备的催化剂在 35 0℃有 80 %的NO转化率 。
6) zirconium-doped zinc oxide
掺锆氧化锌
1.
Transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films with high transparency and relatively low resistivity were successfully prepared by radio frequency magnetron sputtering at room temperature.
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条