1) wave vector mismatch
波矢失配
2) Waveform mismatch
波形失配
3) Mismatched filter
失配滤波
1.
Mismatched filtering results of this algorithm in different reference sequences and different sampling rates are analyzed in detail, and the corresponding simulations and analysis are also given.
在此基础上,研究了一种旁瓣抑制算法:最优峰值旁瓣电平失配滤波法,详细讨论了该算法在不同的参考序列以及在不同采样率时的失配滤波结果,并进行了相应的仿真分析。
4) steering vector mismatch
导向矢量失配
1.
There are two important factors that affect the performance of Space-Time Adaptive Processing(STAP),that are steering vector mismatch and covariance matrix mismatch.
导向矢量失配和协方差矩阵失配是影响空时自适应处理(STAP)性能的两大主要因素,基于在最差情况下的性能最优,提出了一种稳健的STAP算法。
2.
In order to improve the robustness against the array steering vector mismatch,the norm constraint on the weight vector is used.
针对Capon波束形成器在导向矢量失配存在时的较差指向性能,利用模约束来提高算法的稳健性。
5) mismatch negativity
失匹配负波
1.
Effects of hyperbilirubinemia on distortion product otoacoustic emission,auditory brainstem response and mismatch negativity in guinea pigs
高胆红素血症对豚鼠畸变产物耳声发射、听性脑干反应和失匹配负波的影响
2.
Objective:To investigate the effects of the tests of mismatch negativity(MMN)and prefrontal cognitive function on the evaluation of cognitive function in patients with Parkinson's disease(PD)and their clinical value.
目的:探讨失匹配负波(MMN)与额叶认知功能测试在评价Parkinson病(PD)患者认知功能中的作用及其临床价值。
3.
Methods:Mismatch negativity(MMN)was elicited from 17 SIVD patients and 15 normal controls(NC),and the latencies and the amplitudes of MMN were analyzed.
方法:应用意大利EB-NEURO事件相关电位工作站,对17例SIVD患者和15例同龄对照者进行失匹配负波(MMN)成分的潜伏期、波幅检测,并进行偶极子源分析及皮层电流密度测定。
6) mismatch negativity
失配性负波
1.
Methods The event related potential N_ 400 and mismatch negativity were conducted in 47 chronic schizophrenics(research group)and 41 other type ones(control group)and differences between the two compared.
方法对47例慢性精神分裂症和41例非慢性精神分裂症患者进行事件相关电位N400和失配性负波检测,比较两组的差异性。
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
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参考词条