1) Sn-doped Ga_(1.4)In_(0.6)O_3 films
Sn掺杂Ga_(1.4)In_(0.6)O_3薄膜
2) Ga_(2-2x)In_(2x)O_3 films
Ga_(2-2x)In_(2x)O_3薄膜
3) film doping
薄膜掺杂
4) doped ZnO thin film
掺杂ZnO薄膜
1.
Sb_2O_3-doped ZnO thin film was prepared by RF magnetron sputtering technique.
采用RF磁控溅射技术制备了Sb2O3掺杂ZnO薄膜,通过X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光(UV-Vis)分光光度计研究了Sb2O3对ZnO薄膜结构和光吸收性能的影响。
5) doped VO_2 thin films
掺杂VO2薄膜
6) the doped vanadium dioxide thin film
VO_2掺杂薄膜
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条