1) Misfit structure oxides
层错结构氧化物
3) misfit-layered cobalt oxide
错配层钴氧化物
4) staggered floor structure
错层结构
1.
Design method of reinforcement concrete shear wall staggered floor structure
钢筋混凝土剪力墙错层结构的设计方法
2.
Aim at now appearing more and more the form of staggered floor structure, this paper introduces the conception and classification of the staggered floor structure, discusses about unfavourable influence of the staggered floor on structure and points out the problems needing attention in the design of staggered floor structur
针对目前出现的越来越多的错层结构形式,介绍了错层结构的概念和分类,讨论了错层对结构的不利影响,并且指出了错层结构设计中应注意的问题。
3.
With two relative mechanical models, the variations of lateral stiffness of the staggered floor structure is analyzed, and its obvious that the stiffness enhancement of the staggered floor structure is determined by the location of the staggered floor, the stiffness ratio of column to beam and the style of acting loads.
采用两种结构力学模型分析了错层构件的刚度变化情况 ,认为错层结构刚度增大幅度与错层位置、构件刚度比、加载方式等多种因素有关 ;并且讨论了错层对结构整体性的影响。
6) layered perovskite manganate
层状钙钛矿结构锰氧化物
补充资料：层错
层错
stacking fault
层错stacking fauit晶体原子层理想完整堆垛次序中出现的一个差错限排)。全称堆垛层错。是晶体中常见的一种面缺陷。以fcc晶体为例说明。fcc晶体fec理想堆垛可以视为由全同的{111}原子面密积堆垛而成(见图)。如称第一层为A，则第二层落在B位置，第三层落在C位置，第四层又为A位置。如此重复堆垛，形成无限序列…A B C A BC…，这就是理想的完整晶体。若有某生个B层在A层之上整个滑’移到C位置(1/6<112>滑移)，即是实现如下的进程: …ABC ABC ABC… CA BCA…于是原序列…A B C A B C A BC.二变为 .”A B cA{一c A B c A Bc…可见在l标记之处出现一个堆垛次序之误排，这里就是一个层错。在l处抽去一个B层，让上面的C层落下至A层之上，也形成同样的层错。在fcc晶体中通常有3种主要的设想的操作过程形成层错:①{111}面的1/6(112>滑移;②抽去一个{111}层，并令上下岸弥合;③插入一个{111}层。后两种过程可以通过空位或1 14填隙原子的凝聚而实现。 hcp晶体在(0001)面也可以形成层错。(0001)面的堆垛次序为…ABABAB.一若变为…ABA那BCB…，则在l处出现一个层错。bcc晶体{112}面为6层，为一个周期的堆垛，在此面上也可形成层错。其他各种不同晶体中可能出现的层错形式视其结构差异而不同。 层错单位面积的表面能称为层错能，一般记为补在密集结构晶体中，层错的引入不改变最近邻关系，只改变次近邻关系，且几乎不产生畸变，所以层错能的主要来源应是电子能。层错能可以用电子显微术观察而实测，或从一些其他观测结果推出，也可以理论计算。其数值例如在AI中为数百尔格每平方厘米，而在Au中则仅数十尔格每平方厘米。 层错的边界为不全位错，层错的存在和性质制约这些不全位错的运动。(杨顺华)
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参考词条