1) Three-dimensional deposition
全方位沉积
2) plasma immersion ion implantation And deposition
全方位离子注入与沉积
1.
Plasma immersion ion implantation and deposition (PIIID) has been developed rapidly in recent years, and commercial applications of the technique have been realized.
全方位离子注入与沉积(Plasma immersion ion implantation and deposition,PIIID)技术发展到现在,已经逐步走向工业化应用。
2.
In our research, plasma immersion ion implantation and deposition was utilized to improve their wear resistance.
本研究利用了全方位离子注入与沉积(PIII&D)技术来强化处理这些合金表面,采用离子注入+过渡层+耐磨损层的复合强化处理工艺,通过摩擦磨损试验来研究不同的过渡层结构和厚度对磨损性能的影响。
4) deposition potential
沉积电位
1.
7 and [Sn~(2+)]/[S_2O_3~(2-)]=1/5 by varying the deposition potential (E) from-0.
7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0。
2.
The relationship between the deposition potentials and the current intensities under different deposition conditions(stirring,temperature,etc.
研究了半导体ＣｄＴｅ薄膜不同阴极电沉积条件（搅拌、加温）下，沉积电位与电流密度、沉积速率的关系。
3.
The effects of deposition potential and Zn(NO3)2 concentration on the deposition process,structure and characteristics of films were also studied.
分析了Zn(NO3)2体系ZnO的电化学沉积机理及反应过程,考察了沉积电位和Zn(NO3)2浓度对沉积过程、薄膜结构及其性能的影响。
5) Sedimentary horizon
沉积层位
6) deposit location
沉积位置
1.
The wear debris entering height into the tunnel played an important role to determine the deposit location,which is .
结合磨粒在磁极工作气隙上方的沉降运动模型,对磨粒在流道中运动的分析表明,入口高度因素对磨粒在流道中沉积位置具有很大的影响,为流道的合理设计提供了新的依据。
补充资料：离子注入（ionimplantation）
离子注入（ionimplantation）
用离子加速器将各种离子注入半导体材料，从而改变半导体材料的电学、光学或其他物理性质的半导体工艺技术，称为离子注入技术。自从20世纪70年代以来离子注入技术在半导体器件制备工艺中获得了广泛应用，是半导体器件工艺的最主要技术之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条