1) Doped manganese nitride materials
掺杂锰铜基氮化物
2) doped manganese oxides
掺杂锰基氧化物
3) doped lithium manganese oxides
掺杂锂锰氧化物
4) doped-manganites
掺杂锰氧化合物
5) Half-doped manganese
半掺杂锰氧化物
6) Cu-doped lithium manganese dioxide
铜掺杂锰酸锂
补充资料:掺杂
分子式:
CAS号:
性质:在一种材料(基质)中,掺入少量其他元素或化合物,以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能,从而具有实际应用价值或特定用途。例如,在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料,由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子,可以得到不同性质的发光材料,如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大,需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法,并在一定温度下灼烧,使晶体中的掺杂离子均匀分布。
CAS号:
性质:在一种材料(基质)中,掺入少量其他元素或化合物,以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能,从而具有实际应用价值或特定用途。例如,在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料,由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子,可以得到不同性质的发光材料,如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大,需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法,并在一定温度下灼烧,使晶体中的掺杂离子均匀分布。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条