1) Dual-wavelength nonvolatile holographic storage
双波长非挥发存储
2) non-volatile memory
非挥发性存储器
1.
Single-poly,576bit non-volatile memory is designed and implemented in an SMIC 0.
18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器。
3) nonvolatile memory
非挥发性存储器
1.
The development and the basic working principle of nanocrystal nonvolatile memory are introduced.
介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。
4) Dual-wavelength storage
双波长存储
5) two-wavelength multiplexing holographic storage
双波长全息存储
6) nonvolatile floating gate memory
非挥发浮栅存储器
1.
The chemical methods of Langmuir-Blodgett(LB) film and reverse microemulsion were successfully applied in the fabrication process of nonvolatile floating gate memory.
将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中。
补充资料：双[1-(4-二甲氨基)苯基2-苯基1,2-二硫代乙烯合镍]
分子式：
CAS号：
性质：紫黑色单斜晶体。熔点277～278℃。溶于苯、甲苯、三氯甲烷等大多数有机溶剂。红外频率υ(C＝S)1190、1165、1140cm-1,红外频率υ(S-C-C-S)880cm-1。由对二甲氨基安息香、五硫化二磷在二噁烷(二氧六环)中反应后,加入镍(Ⅱ)盐溶液制得。用作光学非线性材料。
CAS号：
性质：紫黑色单斜晶体。熔点277～278℃。溶于苯、甲苯、三氯甲烷等大多数有机溶剂。红外频率υ(C＝S)1190、1165、1140cm-1,红外频率υ(S-C-C-S)880cm-1。由对二甲氨基安息香、五硫化二磷在二噁烷(二氧六环)中反应后,加入镍(Ⅱ)盐溶液制得。用作光学非线性材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条