1) Further Test to Verify the Defective Piles
缺陷桩的验证检测
2) Pile foundation defect detect
桩基缺陷检测
3) defect detecting
缺陷检测
1.
A defect detecting of printing matter based on interest points feature matching was proposed.
提出了1种基于兴趣点特征匹配的印刷图像缺陷检测方法。
4) defect inspection
缺陷检测
1.
Texture defect inspection method using difference statistics feature in wavelet domain;
基于小波差分统计特征的纹理缺陷检测方法
2.
Designs of digital image processing based defect inspection system of printed material are introduced.
印刷品缺陷检测技术有着重要的实际意义。
3.
Nowadays, defect inspection based on image processing method has been widely applied in industrial production with its characteristics of non-contact, fast and flexible.
基于此,本文依托东北大学流程工业综合自动化重点实验室基金项目,针对基于图像处理的注塑制品缺陷检测方法展开研究。
5) defect detection
缺陷检测
1.
Development of drillpipe thread defect detection apparatus;
钻杆螺纹缺陷检测装置的研制
2.
Application of morphological wavelet in surface crack defect detection of medium plates;
形态小波在中厚板表面裂纹缺陷检测中的应用
3.
Study on fruit classification and surface defect detection;
水果分级与表面缺陷检测研究
6) defects inspection
缺陷检测
1.
Research on multi-feature’s optimization combination algorithm for rolled strips defects inspection;
板带材缺陷检测中的多特征优化组合方法研究
2.
We need a fast and trusty method of defects inspection.
传统的用人工目测进行印刷缺陷检测的方法由于受各种因素的影响,不能满足工业检测速度和精度的要求,迫切需要一种快速、可靠的缺陷检测方法。
3.
Automatic Defects Inspection System of Printed Circuit Board Based on Vision;
因此，对印刷电路板进行缺陷检测在工业生产中具有重要的应用价值。
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条