1) electro-chemical etching
电化浸蚀
2) electrolytic etching
电解浸蚀
3) electro-ething
电浸蚀
4) chemical erosion
化学浸蚀
1.
Based on the properties of the precise profiled titanium wire that the dimension is small,high accuracy and the requirements of its inner and surface!quality are very high,the article aims to study on preparation of metallographic sample,the way of chemical erosion and aspects needed to pay attention to.
针对异型钛材尺寸小,精度高,内在质量及表面质量要求高的特点,探讨了相应金相样品的制备、化学浸蚀的方法及应该注意的问题,制得了清晰的金相照片,为实现异型钛材生产中的内部质量控制提供了保证。
5) etching with acid solution
酸化浸蚀
6) chemical etching
化学浸蚀
1.
Because porous silicon can be easily synthesized directly by electrochemical anodization or chemical etching methods, it seems ideal for Si based opto electronic devices, biolical and chemical sensors, new material support, biocompatible materials and in vivo electronics etc.
笔者以金属硅粉作为研究对象 ,采用化学浸蚀工艺制备多孔硅粉 ,利用比表面积测定仪、扫描电子显微镜、扫描隧道显微镜等研究了不同浸蚀温度制备的多孔硅粉比表面积、孔径分布、表面形貌及微结构的变化。
2.
Porous silicon was formed by chemical etching of p-typed silicon wafers with different resistivities,the fabrication process was optimized by orthogonal experiment and the effect of time on the properties of porous silicon was also studied.
以不同电阻率的p型单晶硅片为研究对象,通过正交实验对化学浸蚀法制备多孔硅的工艺条件进行优化,采用多种仪器对制备的多孔硅比表面积、膜厚、表面形貌、化学组成及光致发光进行表征。
补充资料：电解浸蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条