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1)  epiplanar device
外延平面掐
2)  planar epitaxial method
平面外延法
3)  planar epitaxial transistor
平面外延晶体管
4)  epitaxial planar transistor
外延平面晶体管
5)  epiplanar device
外延平面器件
6)  epiplanar technology
外延平面工艺
补充资料:法平面


法平面
normal plane

法平面【‘加因内理;”叩M助I.H四n邢c劝cT‘],空间曲线在点M处的 通过点M且垂直于M处的切线(扭哈烈)的平面.法平面包含曲线的过点M的一切法线(nor-lml).如果在直角坐标中曲线由方程 x=f(t),y=g(t),z=h(t)给出,则在对应于参数t的值t。的点M(x。,y。,z。)处的法平面的方程可以写成下列形式: _、df(t。).,、dg(t。) (x一x。)一升汁匕二+(y一y。)=贵招二+ dt、JJ“产dt dh(t。) +(z一z。)二二2卫业上=0. dt如果曲线的方程具有形式r三r(t),则法平面的方程是 ,~、dr (R一r、.共二=0. 一产dt EC3一3
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