1) vacuum epitaxy (VE)
真空外延
2) high vacuum chemical vapour deposition
高真空化学气相外延
1.
The high vacuum chemical vapour deposition(HV CVD) furnace has been developed for the growth of Si 1-x Ge x heterostructure material.
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。
3) intended truth
外延真理
1.
And nowadays the harmony of intended truth and extended truth is the key to the worl d s development .
在真理观问题上 ,亚里士多德的“符合论”真理观 ,即外延真理曾一度长期占据着统治地位。
4) VDV Vacuum Delay Valve
真空延迟阀
5) vacuum ultraviolet
真空紫外
1.
Review on Highly Reflecting Mirrors for Vacuum Ultraviolet and X-ray;
真空紫外~X射线反射膜研究现状
2.
MgF_2-overcoated aluminium films for ultraviolet and vacuum ultraviolet;
紫外-真空紫外波段的Al+MgF_2膜
3.
The influence of self-trapped exciton on luminescence of Pr~(3+) in aluminate under vacuum ultraviolet excitation;
真空紫外光激发下掺Pr~(3+)铝酸盐的自陷激子对Pr~(3+)发光的影响
6) VUV
真空紫外
1.
The Crystal Structure and VUV Luminescent Property of the Rare Earth Borates;
稀土硼酸盐的结构及其真空紫外(VUV)荧光性质
2.
Detector Calibration Facility in the Wavelength Range of VUV-Soft X-Ray(5～105 nm);
真空紫外-软X射线波段(5～105nm)探测器校准装置的研制
3.
Design of VUV beamline for ARPES studies at SSRF;
上海光源真空紫外角分辨光电子能谱束线设计(英文)
补充资料：气相外延
分子式：
CAS号：
性质：在气相状态下，将半导体材料淀积在单晶片上，使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一层厚度和电阻率合乎要求的单晶层，这一工艺称为气相外延。其特点有（1）外延生长温度高，生长时间长，因而可以制造较厚的外延层；（2）在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。工业生产常用的气相外延工艺有：四氯化硅（锗）外延，硅（锗）烷外延、三氯氢硅及二氯二氢硅等（二氯二氢硅具有淀积温度低，沉积速度快，淀积成膜均匀等优点）外延等。
CAS号：
性质：在气相状态下，将半导体材料淀积在单晶片上，使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一层厚度和电阻率合乎要求的单晶层，这一工艺称为气相外延。其特点有（1）外延生长温度高，生长时间长，因而可以制造较厚的外延层；（2）在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。工业生产常用的气相外延工艺有：四氯化硅（锗）外延，硅（锗）烷外延、三氯氢硅及二氯二氢硅等（二氯二氢硅具有淀积温度低，沉积速度快，淀积成膜均匀等优点）外延等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条