1) electron bombardment-induced conductivity
电子轰击感生电导
2) ebiconductivity
电子轰击感生电
3) BIC Bombardment C Induced Conductivity
电子轰击感应电导
4) ebicon
['ebəkən]
电子轰击导电性
5) bombardment-induced conductivity
轰击感性导电
6) electron bombard;electron bombardment,electron-bombarded semiconductor,electronic impact furnace,EBS
电子轰击半导体
补充资料：电子轰击离子源
分子式：
CAS号：
性质：又称电子轰击离子源(electron impact ion source)，常缩写为EI1源(EI1 source)。质谱分析中最常用的离子源，由炽热灯丝发射的电子束，经电离室飞向阳极，被气化的试样分子流在约10-2Pa压力下进入离子源，与能量约为70eV的电子束作用，发生约10～20eV的能量交换，形成包括正离子在内的各种产物。正离子由一个小的推斥(或拉出)电位推出离子源，被加速后送入质量分析器。大部分试样分子和电离产物被离子源的真空泵抽走。
CAS号：
性质：又称电子轰击离子源(electron impact ion source)，常缩写为EI1源(EI1 source)。质谱分析中最常用的离子源，由炽热灯丝发射的电子束，经电离室飞向阳极，被气化的试样分子流在约10-2Pa压力下进入离子源，与能量约为70eV的电子束作用，发生约10～20eV的能量交换，形成包括正离子在内的各种产物。正离子由一个小的推斥(或拉出)电位推出离子源，被加速后送入质量分析器。大部分试样分子和电离产物被离子源的真空泵抽走。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条