1) physics of semiconductor instrument
半导体仪表物理学
2) semiconductor surface physics
半导体表面物理
3) semiconductor physics
半导体物理学
1.
Taking the acquisition of the sci-tech literature information of the semiconductor physics as the example, this paper introduces several common methods of consulting the sci-tech literature through Internet.
以获取半导体物理学方向的科技文献资料为例,详细介绍了通过因特网查阅科技文献资料的几种常用方法。
4) semiconductor physics
半导体物理
1.
This text proceed from practice of concrete classroom instruction of" physics of the semiconductor ", discuss how it is offer information technology potentiality that use among semiconductor physics teaching to excavate, and apply the information technology to the classroom instruction effectively, make students obtain better results of learning in the classroom.
本文从中专微电子专业的“半导体物理”课堂教学实践出发,依据建构主义学习理论,探索如何利用信息技术改革中专“半导体物理”课堂教学,激发学生主动学习的积极性;探讨如何挖掘出信息技术在半导体物理教学中应用的潜力,并有效地将信息技术应用在课堂教学中,使学生在课堂中获得较好的学习效果。
6) physics of narrow gap semiconductor
窄隙半导体物理学
补充资料：半导体表面
半导体表面
surface of semiconductor
半导体表面Surface of Semieonduetol半导体体内原子排列终止的地方，即半导体与真空或空气相接触的界面。其原子和电子结构与体内的不同。表面特性对半导体器件性能的影响很大。对半导体表面的研究是半导体物理的重要组成部分。 半导体表面科学的研究范围大致分为两部分:①外表面层，即表面最外表面下的几个原子层(相当于几个至几十个埃的厚度)。在这区域内，半导体的原子结构和电子态一般与体内的不同。②内表面层，即几十至几千个原子层(相当于几十至几千个埃的厚度)。在这区域内，能带弯曲，出现空间电荷区 半导体表面物理的早期研究工作，主要集中于内表面层性质的研究。在空间电荷区中，载流子的浓度分布发生变化，导致积累层、耗尽层和反型层的出现。这是金属一氧化物一半导体(MOS)结构器件的物理基础。自20世纪60年代以来，由于超高真空技术以及各种表面能谱分析方法的迅速发展，半导体表面的研究进入了一个新的更加活跃的阶段，主要集中于对外表面层性质的研究。 表面能谱分析以某种粒子射到表面上，与半导体相互作用后，产生并发射出新的粒子，根据入射和出射粒子特征参数之间的关系，获得有关表面性质的信息。最常用的粒子是电子、光子、离子和中子等。按研究对象，表面分析方法主要可分为3类:①用于研究表面的原子结构。常用的有电子显微镜(EM)、低能电子衍射谱仪(LEED)、反射高能电子衍射谱仪(RHEED)、扫描隧道显微镜(S TM)和场离子显微镜(FIM)等。此外，近年发展起来的表面敏感扩展X射线吸收精细结构(SEXAFS)分析方法，可有效地应用于研究表面吸附原子的几何结构，其分辨能力超过LEED。②用于研究表面的电子结构。常用的方法有X射线电子谱(XPS)、真空紫外线电子谱(UPS)。它们又称为化学分析电子谱(ESCA)。此外，还有离子中和谱(l NS)。它与ESCA不同，仅限于分析最外表面层和吸附原子的电子态。③用于研究表面层的化学组分，常用的有俄歇电子能谱(AES)和二次离子质谱(SIMS)近年来，对半导体材料硅和砷化稼(GaAs)的表面性质进行了广泛的研究，获得了丰富的成果。这可大致概括为表面原子结构和表面电子态两个方面。 表面原子结构与体内不同，晶体表面的原子结构只具有二维周期性。LEEI)的实验表明，半导体实际表面层的原子位置存在一定的位移，即二维周期性的基矢与体内的不同。这个现象称为表面重构。
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参考词条