1) electricbreakdown of P-N junction
PN结电击穿
2) PN junction leakage current
PN结漏电
3) capacitance of PN junction
PN结电容
4) resistance of PN junction
PN结电阻
5) PN junction electric field
PN结边界电场
1.
A novel analytic model on the relationship about the surface voltage and the PN junction electric field with the ion dose in the drift of gate off MOS is presented.
本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型 ,借助数学推导得到该模型的计算方程 ,通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系 ,同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方
6) P-N junction photodiode
PN结光电二极管
补充资料：[styrene-(2-vinylpyridine)copolymer]
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：学名苯乙烯-2-乙烯吡啶共聚物。微黄色粉末或透明小颗粒晶体。无臭，无味。不溶于水，溶于酸、乙醇、丙酮、氯仿。有抗水、防潮性能，适用于多种药片的包衣等。
分子量：
CAS号：
性质：学名苯乙烯-2-乙烯吡啶共聚物。微黄色粉末或透明小颗粒晶体。无臭，无味。不溶于水，溶于酸、乙醇、丙酮、氯仿。有抗水、防潮性能，适用于多种药片的包衣等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条