1) static breakdown condition
静态击穿条件
3) static state
静态条件
1.
Variation of different phosphorus forms in the sediment under static state;
静态条件下底泥中不同形态磷的变化规律
4) static condition
静态，静态条件
5) partial calmness
偏静态条件
1.
This paper gives a definition of partial calmnessof constrained optimization problems and verifies an important result under con ditons of the lower semicontinuties for objective function and other constrainedfunctions in Banach spaces.
在一般 Banach空间中 ,提出数学规划问题的偏静态条件定义 ,在目标函数和约束函数均为扩张值下半连续函数的情形下 ,获得了罚问题解的一个结果 ,该结果改进和推广了已有的相应结果 ,并由此证明了β-光滑 Banach空间中的模糊乘子规则 ,从而找出该类数学规划问题的最优必要条件 。
6) ESD
静电击穿
1.
TFT-LCD Process and ESD;
TFT-LCD工艺与静电击穿
补充资料：pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。
击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条