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1)  multiplication of fast dislocations
快位错的增殖
2)  multiplication of dislocation
位错的增殖
3)  dislocation multiplication
位错增殖
1.
The results show that the dislocation multiplication caused by stress-thermal cycling is an importment reason for SMED, which results in the degradation of the ordered degree and the stability of thermoelastic martensite.
结果表明,随循环工作次数的增加,位错增殖引起马氏体有序度下降及热弹性马氏体的稳定化是引起记忆合金记忆效应疲劳衰减的重要原因。
4)  error multiplication
差错增殖
5)  rapid proliferation
快速增殖
6)  fast neutron breeding
快中子增殖
补充资料:位错增殖


位错增殖
disloeation multiPlieation

位错增殖disloeation multiplieation晶体中的位错在一定形式的运动中,自身不断产生新的位错环或大幅度增加位错线长度,从而使材料中的位错数目或位错密度在运动中不断增大的过程。能使位错增殖发生的特殊位错组态或构型称为位错源。位错源的形式有许多种。以弗兰克一里德源为例:设位错D在其滑移面上有两个不易动的钉扎点,在应力作用下它可能经历由图a至图e的过程,而产生出一个位错环,自身又回到图a的状态,如此循环不已,每周产生出一个新的位错环,实现位错增殖。使这种位错源启动的临界应力依赖于此源的长度(即钉扎点之间的距离)及此位错的线张力。 一、.厂一一、、‘一、d〔几e奋毛1(三 运动过程中的弗兰克里德源 位错增殖机制的设想很好地解释了单晶体塑性形变中滑移带的出现,即在一个晶面上进行大量滑移的实验事实。用红外光技术曾在硅中用铜缀饰,清晰地观察到弗兰克一里德组态的美丽图样。 位错增殖机制还有许多,例如双交滑移机制、极轴机制,以及巴丁一赫林攀移机制,蜷线位错增殖机制等,分别在位错滑移、晶体孪生、材料相变以及位错攀移中起作用。(杨顺华)
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