1) thin film evaporation technique
薄膜蒸镀法
2) distillation film
蒸镀薄膜
3) silica plating film
氧化硅蒸镀薄膜
1.
The property and preparation of three kinds of environmental high barrier packaging materials such as poly(ethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate),poly(vinyl alcohol) and silica plating film are introduced,and the domestic progress,for example,the progress of melting properties of PEN/PET,compound and modifying PVA and SiOx prepared by using different plating methods are reviewed in this paper.
综述了几种环境友好的高阻隔包装材料聚2,6-萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚乙烯醇(PVA)、氧化硅蒸镀薄膜的性能和制备工艺,以及PEN结合PET的共混特性、PVA复合及改性和利用不同的蒸镀技术蒸镀制得SiOx薄膜等一些国内的研究进展,并指出随着环境的恶化,加强对环保协调、性能优良的高阻隔包装材料的开发是当今阻隔材料的研究重点。
4) Film evaporation method
薄膜蒸发法
5) thin film evaporation and ultrasonic technique
薄膜蒸发-超声法
1.
Liposomes were prepared by thin film evaporation and ultrasonic technique, and single factor test was adopted to study the effects of several factors in preparation on encapsulation efficiency.
采用薄膜蒸发-超声法制备中链脂肪酸脂质体,考察单因素制备工艺对包封率的影响以及所得脂质体的外观形态、粒径、Zeta电位和稳定性。
6) Reverse phase film-evaporation
逆相蒸发薄膜法
补充资料：一氧化硅薄膜介质材料
分子式：
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条