补充资料：光记录和存储用半导体激光材料

光记录和存储用半导体激光材料
semiconductor laser materials for optical recording and storage

光记录和存储用半导体激光材料semiconduc-tor laser materials for oPtieal reeordiflg and storage用于制作光盘写入与读出的激光二极管的半导体材料。各种光盘常用激光二极管的发射波长和主要性能见表1。实用的激射0.78#m、0.82召m波长的光记录和存储用半导体激光材料有AIGaAs/GaAs，InGaAsP/InGaP/GaAs。 组成和性能AIGaAs、 InGaAsP、InGaP、GaAs同属111一V族化合物半导体。AIGaAs、InGaP是由AIAs、GaAs和InP、GaP二元化合物按一定比例组成的三元系化合物。InGaAsP是由InP、GaAs和GaP或InAs组成的四元系化合物。这些材料的晶体均为立方晶系闪锌矿结构，重要晶面有(1 00)、(l 10)和(111)，其中(110)为自然解理面。表1光盘用半导体激光二极管性能┌──────┬─────┬────┬────┬───┐│俞鹦 │视频光盘 │声频光盘│数据光盘│打印 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│波长(召m) │0 .78 │0 .78 │0 .82 │0 .78 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│输出功率 │5 │5 │20一30 │5 ││ (mw) │ │ │ │ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│方向性(比率)│2一3 │2一3 │2一3 │2一3 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│象散(一，m) │<10 │<10 │<3 │<2 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│相对强度噪声│<5X10一14 │<10一11 │<10一11 │ ││ │ │一10一12│一10一”│ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│寿命(小时) │>2X104 │)2X104 │)2火104 │>2X104│└──────┴─────┴────┴────┴───┘ AlxGal一xAs(x(0 .45)，InGaP，Inl一x GaxAs，-Pl一y、GaAs晶体能带均为竖直跃迁结构，具有很高的发光效率。其发光波长取决于他们的禁带宽度。

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