1) carrier transport phenomeno
载流子输运现象
2) Carrier transport
载流子输运
1.
Comparing with the great achievement of experiment, the physical theory of the electric carrier transport in organic solid electric devices is insufficient, which greatly restricts to improve the performance of the organic solid electric devices.
由于有机半导体器件载流子的输运机理不同于无机半导体器件，所以建立一套适用于有机半导体器件载流子输运机理的理论模型非常的重要。
2.
The exciton dissociation and carrier transport properties of pristine as well as doped random polymer have been investigated.
本论文研究了共轭聚合物MEH-PPV及其掺杂体系中的激子离化和载流子输运特性。
3.
Based on the theory of energy band and breakdown,it is considered to be a comprehensive result of redistribution of electric field on heterostructure device and the carrier transport and breakdown barriers under the electric field.
基于能带理论和隧穿理论认为,这是由于器件上电场的重新分布和电场作用下载流子输运及隧穿势垒作用的综合结果。
3) carriers transport
载流子输运
1.
Based on the Fowler-Nordheim tunneling injection,a model for carriers transport and recombination in organic single-layer devices at high electric field is presented.
以高场作用下载流子对三角势垒的Fowler Nordheim隧穿理论为基础 ,建立了单层有机电致发光器件中载流子输运和复合发光模型 ,给出了薄膜中电子 空穴对的解离和复合概率及电子和空穴的密度分布 。
2.
Based on the Fowler-Nordheim tunneling injection, a model for carriers transport and recombination inorganic single layer devices at high electric field is presented.
以高场作用下载流子对三角势垒的Fowler-Nord heim隧穿理论为基础,建立了单层有机电致发光器件中载流子输运和复合发光模型,给出了薄膜中电子—空穴对的解离和复合概率及电子和空穴的密度分布。
4) carrier transportation
载流子输运
1.
Improved drift-diffusion model to describe the carrier transportation in photovoltaic semiconductor detectors under any power laser irradiation has been proposed.
提出了改进的描述光伏型半导体光电探测器中载流子输运的漂移-扩散模型,该模型能适合更高强度的激光辐照,可以模拟光生载流子的长时间过程。
2.
Most of the research work that has been carried out in this field is to measure the damage threshold and to investigate the damage mechanism of various detectors, while the study of carrier transportation and dynamic response of detectors .
强激光辐照半导体探测器时既产生光电效应又产生热效应,以传统的描述半导体探测器中载流子输运的漂移—扩散模型为基础,提出了改进的漂移—扩散模型。
6) transportation of carriers
载流子的输运
1.
The transportation of carriers in electroluminescent organic thin films is studied.
研究电致发光有机薄膜中载流子的输运过程 ,迁移率是描述输运过程的关键物理量 。
补充资料：载流子
载流子
carrier
P型半导体中多子浓度勿及少子浓度nP分别为(3)上二式中ND为施主杂质浓度，cm一“;NA为受主杂质浓度，cm一3。 如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法)，破坏了热平衡条件，使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中，把非平衡电子称为非平衡多数载流子，非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在半导体器件中，非平衡少数载流子往往起着重要的作用。201}IUZI载流子(carrier)在半导体中载运电流的带电粒子—电子和空穴，又称自由载流子。在一定温度下，半导体处于热平衡状态，半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度P0都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 在本征半导体中只发生热激发时，电子数目等于空穴数目，这时热平衡载流子浓度为 no一P。~执 尸/m:m:、备_。/E，、_、 =4 .82火10‘ 51二二匕尹七匕)T万exP{一;开朱{(l) -一‘’‘一(m若/--一厂(ZkTj、一‘式中、。为电子质量，kg;m言为电子有效质量，kg;。了为空穴有效质量，kg沃为玻耳兹曼常数，J/K;E:为禁带宽度，eV;n、为本征载流子浓度，cm一”;T为绝对温度，K。 对于杂质半导体，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子)，而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下，N型半导体中多子浓度、及少子浓度丸分别为(2)、|七卜l|坑二凡一一一一
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参考词条