1) cesium dihydrogen arsenate (CDA)
砷酸二氢铯
2) cesium dideuterium arsenate
砷酸二氘铯
3) caesium dideuterium arsenate crystal
砷酸二氘铯晶体
4) monopotassium arsenate
砷酸二氢钾
5) arsenic acid, disodium salt
砷酸氢二钠
6) calcium biarsenate
砷酸二氢钙
补充资料：二砷化硅锌晶体
分子式：ZnSiAs2
CAS号：
性质：三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格。晶格常数为α=0.5611 nm，c=1.0886nm。直接带隙半导体。室温禁带宽度1.74eV，一般为p型材料，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)。熔点1096℃。可用布里奇曼法、区域熔炼法、定向凝固法等制备。为非线性光学材料。
CAS号：
性质：三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格。晶格常数为α=0.5611 nm，c=1.0886nm。直接带隙半导体。室温禁带宽度1.74eV，一般为p型材料，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)。熔点1096℃。可用布里奇曼法、区域熔炼法、定向凝固法等制备。为非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条