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1)  semi-changeable ROM
半可变只读存储器
2)  MOS insulated-gate field-effect transistor
金属氧化物半导体可变只读存储器
3)  electrically alterable read-only memory,EAROM
电可变只读存储器
4)  reprogrammable ROM
可变程序的只读存储器
5)  field-programmable read only memory
场可变程只读存储器
6)  field alterable ROM
现场可变只读存储器
补充资料:金属-氧化物-半导体动态随机存储器
      具有动态存储信息功能的MOS随机存储器。MOS动态随机存储器多采用双层多晶硅硅栅N沟MOS工艺。存储单元的结构如图1。衬底为 P型(100晶向)硅片,第一层多晶硅(Ⅰ)为MOS电容器的板极,第二层多晶硅(Ⅱ)构成字线,N+注入区形成MOS单元开关管源区和漏区,铝(Al)为位线。信息存储主要由第一层多晶硅(Ⅰ)电极、介质膜和硅衬底组成的电容器中的存储电荷(有电荷为1,无电荷为0)来实现。存储在电容器中的电荷因漏电而衰减和消失,因此经过一定时间(再生周期)必须按所存信息加以刷新。这是称为"动态"的由来。这样的单元一般被组合成矩阵,如以字线为行,位线为列,通过行与列的译码器可随机选取各单元地址,进行写入和读出。这种存储器写入和读出的内容、所需的时间原则上与单元的位置无关,是随机存取的。
  
  
  MOS动态随机存储器主要用作大、中型计算机的主存储器,其组织结构一般为若干千字(k)×1位。例如,64k位就是64千字×1位。
  
  MOS动态随机存储器的内部电路,大致包括地址缓冲器、行译码器、列译码器、存储单元阵列、读出放大器、数据输入电路、数据输出电路、读-写控制电路、时钟产生电路和衬底偏置电压产生电路等几个部分(图2)。
  
  
  MOS 动态随机存储器的核心电路是存储单元和读出放大器(图3)。读出放大器的两臂通过 b(位线)、(位线)分别连接由不同字线控制的个单元。2n个单元构成第i列。这一列单元中存储信息可以在列选择线 (Yi) 的控制下,通过数据总线(I/O、/O)等传送到数据输出端,或按照数据输入端的信息而改变。任一字线nj=1,...,2n分别与2n个列中的一个单元相连接。当2n个字线中的一个,如W0被选时,它打开单元开关管Q,导致在单元电容器CS与位线电容器Cb之间进行电荷再分配,从而使位线b电位改变,而位线的电位并未变化。这就在b、间建立了一个电位差。通常Cb/CS约为10~20,因这个电位差(墹U)是一个相当小的量,不能直接读出,要经过读出放大器放大。当第i列被选时,单元中存储信息可与数据端(Di、D0)建立联系。当第i列未被选时,读出放大器把存储信息恢复并送入单元。
  
  
  行地址信号在行地址选通时钟()的控制下,进入并封锁在地址缓冲器中,它控制行译码器和驱动电路,选中2n个字线中的一个Wj。于是,该行单元中的信息分别在各自对应列的位线上读出,并经过相应的读出放大器放大。列地址信号在列地址选通时钟()控制下,进入并被封锁在地址缓冲器中,它控制列译码器和驱动电路,选中2n个列选择线中的一个Yi。于是,第j行、第i列的单元经过位线(b、)、数据线(I/O,O)与外界建立联系。当集成电路的读写控制端(R/)处于高电平时,数据线(I/O,O)与数据输出电路间连接,于是被选单元的信息由数据输出端D0读出。当R/处于低电平时,数据输入电路与数据线(I/O、/O)之间存在着通道。被选单元的存储信息随数据输入端的信息而改变。
  
  MOS动态随机存储器采用新的单元结构,如用沟壁电容代替平面电容,可进一步减小单元面积,提高集成度。芯片面积的不断增加,而材料和工艺致缺陷密度不能随之降低,因此设计后备电路、采用容错技术是重要的趋势。由于MOS动态随机存储器的存储电容约为50飞法,处理的电荷量仅0.2皮库左右,入射到硅衬底中的α 粒子产生的载流子一旦流到存储结点,往往使MOS动态随机存储器暂时失效,这称为软失效。随着单元面积的不断减小,这个问题就更为明显。引入CMOS技术制造动态随机存储器,是减小α 粒子致软失效的一个有效手段。
  
  

参考书目
   Jerry Eimbinder,Semiconductor memorier,Mactier Pub.Co., New York, 1971.
  

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