1) crystal structure of complex
络合物晶体结构
2) crystal structure of copper (Ⅱ) complex
铜配合物晶体结构
3) crystal structure of minerals
矿物晶体结构
4) Paracrystal structure of polymer
聚合物次晶结构
补充资料:二硒化铝铜晶体
分子式:CuAlSe2
CAS号:
性质:周期表第I,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.5603nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV,一般为p型材料,空穴迁移率1×10-4m2/(V·s)。熔点1200℃。采用化学气相沉积法、定向凝固法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号:
性质:周期表第I,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.5603nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV,一般为p型材料,空穴迁移率1×10-4m2/(V·s)。熔点1200℃。采用化学气相沉积法、定向凝固法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条