1) effective mobility
有效迁移率
3) ambipolar effective mobility
双极性有效迁移率
4) effective migration valocity
有效迁移速度
5) field effect mobility
场效应迁移率
1.
By employing the concept of average field effect mobility, a generalized equation and the analytic solution for the calculation of the charge transfer loss rate of the a Si CCD are derived.
提出用电荷控制法研究ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的理论模型，通过引入平均场效应迁移率的概念，推导出计算ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移损失率的解析解，理论计算与实验结果符合较好。
2.
The effect of interface state charges on the field effect mobility of n channel 6H SiC MOSFET is analyzed based on the nonuniform distribution of interface state density in the energy gap.
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布 ,分析了界面态电荷对n沟 6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响 。
6) field-effect mobility
场效应迁移率
1.
The peak field-effect mobility of 18.
从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约为 18。
2.
The PTFTs with a surface-modified gate insulator show better electric characteristics with the field-effect mobility of 0.
结果表明,通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能,器件的场效应迁移率高达0。
3.
But the OTFT device still has good output characteristics,with the field-effect mobility(μ_(EF)) of 3.
001V时,器件仍然有好的输出特性,当VDS为-20 V时,器件的场效应迁移率为3。
补充资料：迁移效率指数、偏好指数和差别指数
迁移效率指数、偏好指数和差别指数
迁移效率指数、偏好指数和差别指数迁移效率指数是用于测定两地间人口迁移效率的指标。它是净迁移对总迁移之比。计算公式为:EIM一摇寿纂拼又‘。。上式中，}人么夕一材方}为i、]两地净迁移人数;从少+材户为i、]两地总迁移人数;El入了为迁移效率指数。 EIM的取值范围为。至100，如某一地区的值越大，反映迁移的的影响也越大。如果计算i地区与其他一切地区之间的人口迁移效率指数EIM厂，则: }艺材。一芝Mj、}EIM汀艺。+乏M，(j笋i) 迁移偏好指数是从一个地区向另一地区的实际迁移人数与期望迁移人数之比。计算公式为:____M.___材尸2行一:一二子一一不石一二，么M“ 了厂‘.厂‘、八 }二不十二六二1 、厂厂7上式中，M“为从i地迁到j地的实际迁移量;艺材。为总的人口迁移量;尸为总人口;M尸I，j为迁移偏好指数。通过计算迁移偏好指数，可以反映各地区的相对引力。 迁移差别指数是反映具有某种特征的迁移人口与非迁移人口区别的指数。例如，专业技术人员的人数所占比重，各种文化程度人数所占比重等，以便研究人才流失和其他间题。计算公式为:M‘从IMD、一翌不丝xl。。 .义V‘ N上式中，M为迁移人数;M，为具有i特征的迁移人数;N为非迁移人数;N‘为具有i特征的非迁移人数;了八了D、为迁移差别指数。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条