补充资料：光电二极管

光电二极管
photodiode

g日ongd一on erJ一g目on光电二极管(photodiode)在两个半导体之间的PN结附近或半导体与金属之间的接触面附近吸收辐射，而引起与电流方向相应的电阻或电压的变化的光电半导体器件。它是结型器件，用硅或锗作材料采用平面型结构制成。光谱范围:硅光电二极管为。.6一1拜m;锗光电二极管为0.5一1.7拜m。用作光电导器件┌─────────────────────┐│ │├─────────────────────┤│ │├─────────────────────┤│ 1 ││ 门│└─────────────────────┘兰图1光电二极管特性时其PN结须反向偏置，光照激发所产生的载流子形成反向电流。其输出电流为拜A级，与光照强度成正比，灵敏度典型值是0.1拜A/Lxo图1是其特性曲线，图形符号如图2所示。光电二极管常用于光信息的检测和激光信号的解调。 光电二极管包括PN结型、PIN型、雪崩型等类型。 PN结型(PD)图3为其结构示意图。当PN结受到能量大于禁带宽度的光照时，价带中的电子吸收光能后跃迁到导带成为自由电子，伺时在价带中留下空穴，这些电子和空穴即为光生载流子。在结电场作用下，耗尽区的光生载流子分别向P区和N区扩散，使P区过剩空穴、N区多电子，建立起P正N负图2光电二极管图形符 号的电场，阻止载流子的继续扩散。当受光照的光电二极┌──┐│ N │└──┘图3光电二极管的结构管加反向电压后，在内外两电场共同作用下，光生载流子参与导电，从而形成了反向的电流。它随人射光的强度变化而改变一，使光信号变成电流信号，响应时间为10一75。不受光照时PN结反向漏电流则为暗电流。根据衬底材料的不同光电二极管分为ZDU和ZCU两种型号。ZDU是以P型硅为衬底，设有一个环极，使用时其电位始终保持高于光电二极管的负极电位，以减少暗电流和噪声(图4)。ZcU是以N型硅为衬┌───┬───┐│L处 │岁 ││丁Ucc │环极! ││厂 │ │└───┴───┘图4 ZDU型管电路底，不需设置环极，只有两个引出线。

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