1) blackbody photocell
黑体光电管
2) black body type cell
黑体式光电池
3) clarinet body
黑管管体
4) Phototransistor
[英][,fəutəutræn'zistə] [美][,fototræn'zɪstɚ]
光电晶体管
1.
Sensitivity,optical gain and current gain of a new model AlGaAs/GaAs punch-through phototransistor are measured.
在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。
5) electro-optical transistor
电—光晶体管
6) gas photo tube
气体光电管
补充资料：黑体
对各种波长的电磁辐射的吸收系数恒等于 1的理想辐射体。黑体的光谱辐射出射度由普朗克公式表示：
为绝对黑体的光谱辐射出射度 (瓦/厘米2·微米-1)。其积分辐射出射度RB为
RB＝T4
=5.669606×10-12(W/cm2·K4)，是斯忒藩-玻耳兹曼常数；T为绝对温度。理想的绝对黑体是不存在的,但可以制作接近于理想的黑体。取一等温容器，内壁涂黑，开一小孔，光线一旦进入小孔，在内壁几次反射后几乎完全被吸收，这一小孔近似于黑体。黑体的有效发射率接近1,接近的程度与容器的形状、开孔的大小、内壁的发射率和温度均匀度等因素有关。精心设计的黑体用作标准的辐射源。图1为中等温度的黑体结构。
一个标准黑体必须选择合适的腔体形状，并计算其有效发射率，严格控制腔体的温度及其均匀性，精确测定其温度值和光阑的面积。控制温度均匀性的较好办法，是采用热管技术。
上述结构的黑体，光阑孔径不可能很大，一般直径为几十毫米。大面积的黑体采用蜂窝结构（图2)。
为绝对黑体的光谱辐射出射度 (瓦/厘米2·微米-1)。其积分辐射出射度RB为
RB＝T4
=5.669606×10-12(W/cm2·K4)，是斯忒藩-玻耳兹曼常数；T为绝对温度。理想的绝对黑体是不存在的,但可以制作接近于理想的黑体。取一等温容器，内壁涂黑，开一小孔，光线一旦进入小孔，在内壁几次反射后几乎完全被吸收，这一小孔近似于黑体。黑体的有效发射率接近1,接近的程度与容器的形状、开孔的大小、内壁的发射率和温度均匀度等因素有关。精心设计的黑体用作标准的辐射源。图1为中等温度的黑体结构。
一个标准黑体必须选择合适的腔体形状，并计算其有效发射率，严格控制腔体的温度及其均匀性，精确测定其温度值和光阑的面积。控制温度均匀性的较好办法，是采用热管技术。
上述结构的黑体，光阑孔径不可能很大，一般直径为几十毫米。大面积的黑体采用蜂窝结构（图2)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条