1) permeable base transistor
可渗基区晶体管
2) DUBAT
双基区晶体管
1.
By using the NDR operation principle of silicon dual base transistor (DUBAT),referring to the features on structure of HBT and MBE material,this paper proposes the design and fabrication of a novel NDRHBT with a cut-off base structure.
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT)。
3) permeable base transistor
渗透式基极晶体管
4) phtoto-dual base transistor
光电双基区晶体管
1.
In this paper, a kind of bistability driven circuit for organic light emitting display (OLED) has been designed by using a phtoto-dual base transistor as a driver.
以光电双基区晶体管为驱动器,设计了一种有机电致发光显示器(OLED)双稳态驱动电路的方案,通过实验得出了输入光功率和输出光功率的光学双稳态的特性曲线,并对该双稳态电路在OLED驱动的应用上进行了分析。
5) alloy-diffused base transistor
合金扩散基区晶体管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条