1) tunnel emitter amplifier
隧道射极放大器
2) Tunnel diode amplifier (TDA)
隧道二极管放大器
3) emitter-biased amplifier
射极偏置放大器
4) common emitter amplifer
共发射极放大器
5) grounded emitter amplifier
射极接地放大器
6) common-emitter amplifier
共射极放大器
补充资料：隧道二极管
| 隧道二极管 tunnel diode 基于重掺杂PN结隧道效应而制成的半导体两端器件。隧道效应是1958年由日本江崎珍於奈在研究重掺杂锗PN结时发现的，故隧道二极管又称江崎二极管。这一发现揭示了固体中电子隧道效应的物理原理，江崎为此而获得诺贝尔物理学奖 。其主要特点是它的正向电流-电压特性具有负阻 ，因此开关速度达皮秒量级 ，工作频率高达100吉赫 。此外，还具有小功耗、低噪声等特点。可用于微波混频、检波，低噪声放大、振荡等。由于功耗小，所以适用于卫星微波设备。还可用于超高速开关逻辑电路、触发器和存储器等。 |
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参考词条