1) channel depletion mode junction
沟道耗尽型结
2) depletion channel
耗尽型沟道
3) channel-depletion type
沟道耗尽型
4) depletion-mode
耗尽型
1.
Analyzing the parameters of the depletion-mode HV-NLDMOS used in a LED driver IC,the structure of DM-NLDMOS and optimal design method of its parameters were proposed.
基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法。
2.
8μm gate length GaAs-based InGaP/AlGaAs/InGaAs enhancement-and depletion-mode PHEMTs.
8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT。
3.
The monolithic integration of enhancement- and depletion-mode (E/D-mode) InGaP/AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMTs) with a 1.
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)。
5) depletion most
耗尽型 most
6) Depletion MOS transistor
耗尽型MOS管
补充资料:沟道
1.低凹如沟状的纹路或通道。 2.指碑上刻出的阴文线槽。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条