1) contactless resistivity measurement
非接触电阻率测量
2) measurement of ohmic contact resistivity
接触电阻率测量
3) Ohm-contact resistance measurement
接触电阻测量
4) Non-contact photoelectrical measurement
非接触光电测量
5) specific contact resistance
接触电阻率
1.
Calculation of specific contact resistance in ohmic contacts;
欧姆接触中接触电阻率的计算
2.
But Ohmic contacts on p-type GaN with low specific contact resistance are more difficult to realize than those on n-type GaN.
本文介绍了利用金属Au、Cr/Au在p型GaN材料上做了接触性能研究,通过退火等实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出Au、Cr/Au与p型GaN材料间的接触电阻率分别为7。
3.
The measurements of the specific contact resistance ( ρ c) were carried out for Ti/Au ohmic contact to heavily boron\|doped p\|diamond (～10 20 cm -3 ) by the transmission line model (TLM).
采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 。
6) contact resistivity
接触电阻率
1.
0×10~(18)cm~(-3)),the experi- ment shows that the contact resistivity keeps unchanged and shows good temperature reliability when the stor- age temperature under 300℃during the storage time of 0～24 hours;but the ohmic contact has shown evi- dent degeneration after the storage at 300℃for 24 hours and at 500℃for 24 hours respectively.
0×10~(18)cm~(-3))的欧姆接触特性,试验结果标明,当测量温度低于300℃时,存储时间为0～24h,其接触电阻率基本不变,表现出良好的温度可靠性;分别经过300、500℃各24h高温存储后,其欧姆接触发生了较为明显的退化,且不可恢复。
2.
To obtain ohmic contact to n-GaN with a low contact resistivity, Cr/Au/Ni/Au metallic system that was fabricated in n-GaN materials has been developed.
为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n—GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试分析。
3.
The best alloying temperature is 220℃ and contact resistivity exhibited about 6.
研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０℃一４５０℃下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此时接触电阻率为６。
补充资料：电阻率测量
电阻率测量
resistivity measurement
电阻率测里resistivity measurement对半导体材料电阻率的测量方法。电阻率是表征半导体材料特性的一个重要电学参数。在一定温度下，半导体电阻率的大小与材料补偿后的杂质浓度有关，因此它是器件设备所需的重要参数。通常固体材料使用电阻率来分类。半导体材料的电阻率范围为10--3一1护牙cm，是介于导体(电阻率小于10--3昆·cm)与绝缘体(电阻率大于1护蕊·cm)之间的一种固体材料。 平行于电流的电场强度E与电流密度j的关系为 E=厉(或j=感)式中p为电阻率。a为电导率，它是电阻率的倒数。 对于某些规则形状的样品(如圆柱形或矩形)的电阻R，与样品长度l成正比，与样品截面积S成反比，关系式为l一s P 一一Rp可通过标准的两探针法测量来获得。对于其它形状或薄层样品，测量电阻率的方法有四探针法、三探针法、扩展电阻法、范德堡法、无接触测量法等。 为了保证电流密度与电场强度之间的线性关系，要求测量在弱电场E毛IV/cm和小电流(避免产生焦耳热)下进行。 四探针法半导体材料电阻率测量中经常采用的一种方法。适用于测量形状不同、厚度均匀的半导体材料，如体材料、异型的外延层、离子注入层、扩散层或多层结构的表面浓度的测量。电阻率测量范围为10一3一103兑·em。 将四根金属探针排成一直线，压在一块任意形状的、半无限大的半导体材料的平坦表面上，如果探针接触处的材料是均匀的，并忽略电流在探针处的少子注入，则当电流I由探针1、4间通过时，由点源叠加原理，探针2、3间的电位差V为 肠，1.厂=~石~一一戈—一卜 ‘7T 511 11乓巍十凡sl+凡式中sl、凡、凡为探针间间距，当51=凡=凡一s时 n，V、户=乙7巧气一下少 l如果样品不是半无限大的半导体时，则由探针流入导体的电流为边界表面反射(非导电边界)或吸收(导电边界)，结果分别使电压探针处的电位升高或降低。这时，电阻率的测量值高于或低于材料的真实值，需进行边界条件的修正。 当样品的厚度W《s时，则薄层电阻率为=4 .53.粤.w 1曰“一9曰月一n 7r一心n当样品无限薄时，可视为二维平面，得到常用方块电阻R口_，卫~_ WV汀__J。。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条