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1)  Telesio, Bernardino
特勒肖
2)  Shoreham
肖勒姆
例句>>
3)  Chauvenel criteria
肖维勒准则
1.
The method uses Chauvenel criteria in the theory of measurement error to eliminate the abnormal interference values.
在传统数字滤波器算法的基础上,本文论述了微机控制测量系统滤除高频随机干扰时新的数字滤波器的设计思路和设计算法,该数字滤波方法是利用测量误差理论中的肖维勒准则来剔除异常干扰值,用以削弱高频随机干扰尖脉冲。
4)  schottky
肖特基
1.
A p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN Quantum-Well Ultraviolet Schottky Photodetector;
p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器
2.
Research on the Improvement of High-temperature Working Function of Schottky Diode;
改善肖特基二极管高温工作性能研究
3.
Study on Silicon Carbide (SiC) Schottky Ultraviolet Photodetectors;
SiC肖特基紫外光电探测器的研制
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5)  schottky contact
肖特基结
1.
Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts;
AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究
2.
Performances of SiC MESFET strongly depend on Schottky barrier height,and the stability of gate Schottky contact will have a further impact on the device performances.
SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。
6)  Schottky junction
肖特基结
1.
The improvement of its performance was analyzed by substituting the ZnSe pn junction with the Au/iZnSe/nZnSe (MIS structure) Schottky junction.
根据测得的ZnSep n结的外量子效率(QE)曲线,研究了ZnSe/GaAs/Ge叠层多结光电池的ZnSe顶电池结构、优缺点及全电池的电流匹配问题,探讨了用Au/i ZnSe/n ZnSe肖特基结金属/绝缘体/半导体(MIS)结构取代ZnSep n结结构从而改进全电池性能的方法。
2.
Au\|GaN Schottky junction has been fabricated on n\|GaN materials by MOCVD and MBE.
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 。
补充资料：特勒
1.见"特勤"。
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参考词条