1) carrier accumulation
载流子累积
2) majority-carrier accumulation
多数载流子积累
1.
The majority-carrier accumulation layer is formed in the drift region because of the extended gate when the device is in the on state,and the concentration of drift region is higher than that in conventional SOI-LDMOS with the same breakdown voltage due to from the additional electric field modulat.
由于扩展栅电极的电场调制作用使FSOI-LDMOS在比一般SOI-LDMOS浓度高的漂移区表面,包括折叠硅槽侧面形成多数载流子积累,积累的多数载流子大大降低了漂移区的导通电阻。
3) current carrier additive effect
载流子累加效应
1.
It has been found the current carrier additive effect in nonlinear mode of the PCSS.
对光电导开关的线性工作模式和非线性工作模式进行了详细的实验研究,研究了偏置电压和触发光脉冲能量、触发光脉冲个数、触发光脉冲间隔对光导开关输出的影响;发现了光电导开关非线性导通时的载流子累加效应;研究了非线性导通对光电导开关材料的损伤物理机制。
4) accumulative flow rate
累积流量
1.
According to the existed weakness of stream tube divided by handwork in the widely applied river 2D water quality model of accumulative flow rate,the principle of stream tube divided by computer is put forward and the detailed divided steps,methods and an applied case of stream tube divided by computer are given in this article.
针对广泛应用的河流累积流量二维水质模型手工流管划分存在的缺陷,提出了计算机流管划分的原理,并给出了详细的计算机流管划分的步骤、方法和应用实例。
5) cumulative flow
累积流动
6) Build-up Factor
积累因子
补充资料：载流子
载流子
carrier
P型半导体中多子浓度勿及少子浓度nP分别为(3)上二式中ND为施主杂质浓度，cm一“;NA为受主杂质浓度，cm一3。 如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法)，破坏了热平衡条件，使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中，把非平衡电子称为非平衡多数载流子，非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在半导体器件中，非平衡少数载流子往往起着重要的作用。201}IUZI载流子(carrier)在半导体中载运电流的带电粒子—电子和空穴，又称自由载流子。在一定温度下，半导体处于热平衡状态，半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度P0都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 在本征半导体中只发生热激发时，电子数目等于空穴数目，这时热平衡载流子浓度为 no一P。~执 尸/m:m:、备_。/E，、_、 =4 .82火10‘ 51二二匕尹七匕)T万exP{一;开朱{(l) -一‘’‘一(m若/--一厂(ZkTj、一‘式中、。为电子质量，kg;m言为电子有效质量，kg;。了为空穴有效质量，kg沃为玻耳兹曼常数，J/K;E:为禁带宽度，eV;n、为本征载流子浓度，cm一”;T为绝对温度，K。 对于杂质半导体，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子)，而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下，N型半导体中多子浓度、及少子浓度丸分别为(2)、|七卜l|坑二凡一一一一
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参考词条