补充资料：王守武 (1919～　　)

    　　中国半导体物理学家。1919年 3月15日生于江苏省苏州市。1941年同济大学毕业。1945～1949年在美国普渡大学研究生院学习，获硕士和博士学位，1949～1950年在该校任助理教授。1950年回国。在中国科学院物理研究所任副研究员、研究员，筹建了中国第一个半导体研究室并任室主任。1960年筹建中国科学院半导体研究所任研究员、副所长，同时兼任中国科学技术大学教授和物理系副主任、清华大学和北京大学兼职教授，他直接领导设计制造了中国第一台拉制锗的单晶炉，研制成功中国第一批锗合金管和合金扩散管。在他指导下成立了激光研究室。从1963年开始，王守武致力于砷化镓激光器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了中国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起，他领导研究半导体激光器中的高场畴动力学和畴雪崩现象。1978年起领导研制半导体大规模集成电路及其工艺研究。
　　
　　王守武的主要论著有：《半导体的电子生伏打效应的理论》、《关于PN合金结中少数载流子的注射理论》、《用触针下分布电阻的光电电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命》等。王守武是中国科学院学部委员，国务院学位委员会委员，国务院电子计算机和大规模集成电路领导小组集成电路顾问组组长。他历任中国电子学会常务理事，中国物理学会常务理事，北京物理学会副理事长，中国电子学会半导体与集成技术学会主任委员兼《半导体学报》主编。
　　
　　王守武因在半导体工业和大规模集成电路等方面作出突出贡献，1979年被授予"全国劳动模范"称号。
　　

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