1) Gunn effect oscillator
耿氏效应振荡器
2) Gunn oscillator
耿氏振荡器
1.
Gunn oscillator plays an important role in millimeter system actually and it is widely used due to its advantages such as low AM noise.
最后,利用以上对内部和外部电路的辅助分析,设计了一个砷化镓耿氏振荡器,其在112GHz有2mW左右的输出功率。
3) gunn effect device
耿氏效应器件
5) gunn diode oscillator
耿氏二极管振荡器
6) Gunn oscillation element
耿氏振荡元件
补充资料：耿氏器件（Gunndevice）
耿氏器件（Gunndevice）
耿氏器件是利用耿氏效应制作的一种能产生微波振荡的负阻器件。1963年Gunn首次报道了n型砷化镓单晶具有负阻特性的实验结果，证实了两年前Ridley等从理论上预期获得半导体负阻特性的可能性。此后人们开发出了具有实用价值的耿氏器件。耿氏器件除了可由砷化镓材料制作，也可用磷化铟、碲化镉、硒化锌或某些三元合金材料制备，其中砷化镓最易制成高纯材料，应用最广。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条