1) bubble memory
磁泡记忆
2) memory,bubble
磁泡记忆器
3) magnetic bubble memory
磁泡记忆体
4) chip,bubble memory
磁泡记忆芯片
5) bubble memory fabrication
磁泡记忆制造品
6) bubble memory movement
磁泡记忆移动
补充资料：磁记忆材料
具有两种或两种以上容易识别的稳定磁状态的磁性材料。一般是有矩形磁滞回线的矩磁材料。用于制造磁存储（记忆）元件的磁心、磁棒、磁膜。
记忆磁心应具有以下磁特性:①较大的剩磁比R(R＝Br/Bm)。R 越大,磁滞回线的矩形度越好。②较大的矩形比Rs(Rs=B(-1/2Hm)/Bm，式中B(-1/2Hm)为最大磁场强度Hm一半时的磁通密度）。Rs愈大，磁滞回线的拐角愈接近直角,磁滞回线的斜率越陡,磁心的抗干扰能力也越强。一般Rs为0.75～0.90。③较小的矫顽力(Hc<0.8千安/米)。因磁心通入的脉冲电流只有几百毫安，如Hc太大，磁心的磁化方向翻转就发生困难。④较小的温度系数，使具有较高的温度稳定性。⑤较高的居里温度和较小的损耗。
金属矩磁材料是某些经过处理的铁镍合金，其优点是饱和磁通密度高，初始磁导率大；但电阻率小，涡流损耗大，工作频率低，速度慢，轧成薄带后可用于较高频率。铁氧体矩磁材料又分为常温和宽温矩磁材料两种。前者居里温度低，宜在常温下工作，如镁锰铁氧体；后者居里温度高，能在较宽温度范围工作，如锂锰铁氧体。
记忆磁心应具有以下磁特性:①较大的剩磁比R(R＝Br/Bm)。R 越大,磁滞回线的矩形度越好。②较大的矩形比Rs(Rs=B(-1/2Hm)/Bm，式中B(-1/2Hm)为最大磁场强度Hm一半时的磁通密度）。Rs愈大，磁滞回线的拐角愈接近直角,磁滞回线的斜率越陡,磁心的抗干扰能力也越强。一般Rs为0.75～0.90。③较小的矫顽力(Hc<0.8千安/米)。因磁心通入的脉冲电流只有几百毫安，如Hc太大，磁心的磁化方向翻转就发生困难。④较小的温度系数，使具有较高的温度稳定性。⑤较高的居里温度和较小的损耗。
金属矩磁材料是某些经过处理的铁镍合金，其优点是饱和磁通密度高，初始磁导率大；但电阻率小，涡流损耗大，工作频率低，速度慢，轧成薄带后可用于较高频率。铁氧体矩磁材料又分为常温和宽温矩磁材料两种。前者居里温度低，宜在常温下工作，如镁锰铁氧体；后者居里温度高，能在较宽温度范围工作，如锂锰铁氧体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条