双极译码器,Schottky Bipolar Decoders Schottky,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Schottky Bipolar Decoders Schottky

双极译码器

2) bipolar decoders,Schottky

叔特基双极译码器

3) bipolar

双极

Existence of solutions for bipolar viscous quantum hydrodynamic model in one space dimension;

一维双极粘滞量子流体力学模型解的存在性

Transient model and analysis of bipolar junction photogate transistor used in CMOS imagers;

双极型光栅晶体管的瞬态特性模型及模拟分析(英文)

A Comparative Study of the Internal Environment Effect of Bipolar Versus Monopolar Transurethral Vaporization of the Prostate in Operation;

单极与双极前列腺汽化术对术中内环境影响的对比研究

4) double pole

双极

5) DP (Double Pole)

双极

6) bipolar

双极的，双极性的

7) bipolar charging

双极带电

Theoretical analysis and experimental research on bipolar charging phenomena and electrostatic potential distribution in gas-solid fluidized beds were carried out.

对颗粒的双极带电现象和气固流化床中的静电分布进行了理论分析和实验研究。

8) bipolar membrane(BM)

双极膜（BM）

9) bipolar membrane

双极膜

Preparation of Ni-mSA/CS bipolar membrane and its application to electro-generation of TGA;

Ni-mSA/CS双极膜的制备及其在电合成巯基乙酸中的应用

Production of lactic acid using bipolar membrane electrodialysis;

双极膜电渗析法制备乳酸

Preparation of CS-CMC bipolar membrane and its application in electro-generation of FeO_4~(2-);

羧甲基纤维素-壳聚糖双极膜的制备及其在电合成高铁酸盐中的应用

10) bipolar plate

双极板

Progress on electrode and bipolar plate materials for vanadium redox flow batteries;

全钒液流电池用电极及双极板研究进展

Performance of 304 stainless steel bipolar plate in simulated PEMFC environments;

304不锈钢双极板在模拟PEMFC环境中的性能

Preparation of phenol-formaldehyde resin/graphite bipolar plate conductive composite of high properties;

高性能酚醛树脂/石墨双极板导电复合材料的制备

补充资料：绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT

　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

双极模型双极射频双极导联双极汽化双极电凝双极小体双极电图双极性双极型-CMOS 双极化双极放电双极性PWM 双极性码二[2-[[1-(2-氯苯基)-4,5-二氢-3-甲基-5-氧代-1H-吡唑-4-基]偶氮]苯甲酸根]-合铬酸钠

双极芒刺双极性膜双极膜（BPM）双极电极双极雾化双极化子
1) Schottky Bipolar Decoders Schottky 双极译码器 2) bipolar decoders,Schottky 叔特基双极译码器 3) bipolar 双极 1. Existence of solutions for bipolar viscous quantum hydrodynamic model in one space dimension; 一维双极粘滞量子流体力学模型解的存在性 2. Transient model and analysis of bipolar junction photogate transistor used in CMOS imagers; 双极型光栅晶体管的瞬态特性模型及模拟分析(英文) 3. A Comparative Study of the Internal Environment Effect of Bipolar Versus Monopolar Transurethral Vaporization of the Prostate in Operation; 单极与双极前列腺汽化术对术中内环境影响的对比研究 4) double pole 双极 5) DP (Double Pole) 双极 6) bipolar 双极的，双极性的 7) bipolar charging 双极带电 1. Theoretical analysis and experimental research on bipolar charging phenomena and electrostatic potential distribution in gas-solid fluidized beds were carried out. 对颗粒的双极带电现象和气固流化床中的静电分布进行了理论分析和实验研究。 8) bipolar membrane(BM) 双极膜（BM） 9) bipolar membrane 双极膜 1. Preparation of Ni-mSA/CS bipolar membrane and its application to electro-generation of TGA; Ni-mSA/CS双极膜的制备及其在电合成巯基乙酸中的应用 2. Production of lactic acid using bipolar membrane electrodialysis; 双极膜电渗析法制备乳酸 3. Preparation of CS-CMC bipolar membrane and its application in electro-generation of FeO_4~(2-); 羧甲基纤维素-壳聚糖双极膜的制备及其在电合成高铁酸盐中的应用 10) bipolar plate 双极板 1. Progress on electrode and bipolar plate materials for vanadium redox flow batteries; 全钒液流电池用电极及双极板研究进展 2. Performance of 304 stainless steel bipolar plate in simulated PEMFC environments; 304不锈钢双极板在模拟PEMFC环境中的性能 3. Preparation of phenol-formaldehyde resin/graphite bipolar plate conductive composite of high properties; 高性能酚醛树脂/石墨双极板导电复合材料的制备补充资料：绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管 insulated gate bipolar transistor,IGBT 　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条双极模型双极射频双极导联双极汽化双极电凝双极小体双极电图双极性双极型-CMOS 双极化双极放电双极性PWM 双极性码二[2-[[1-(2-氯苯基)-4,5-二氢-3-甲基-5-氧代-1H-吡唑-4-基]偶氮]苯甲酸根]-合铬酸钠
©2008 dictall.com