1) LSD Latching Semiconductor Diode
锁存式半导体二极管
3) Semiconductor diodes
半导体二极管
1.
A new method to characterize semiconductor diodes with admittance at forward voltage is presented.
提出了一种利用正向电压下的导纳-电压(A-V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法,并给出了它的一般分析。
2.
A new method to analyze the forward electrical characteristics of semiconductor diodes by using series mode is developed.
提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法 。
4) DFB LD
分布反馈式半导体激光二极管
1.
Based on the investigation of the character and relationship between injection current,temperature of active area and output power,output wavelength of DFB LD,a high precision and high performance scheme for driving light source of fiber optic sensor was designed.
基于分布反馈式半导体激光二极管(DFB LD)中的注入电流、有源区温度与输出光功率、输出光波长等特性关系的分析,设计出了一整套高精度、高性能的光纤传感器光源驱动技术方案。
5) laser diode
半导体激光二极管
1.
Referenced to Rubidium Spectrum Line High Accurate Laser Diode Stable Control Circuits Research;
以铷原子谱线为参考的高精度半导体激光二极管稳定控制研究
2.
The design of a laser diode(LD) driver that can generate multi-waveforms for the modulation of drive current was present in this paper.
设计了一种能对输出电流实现多种波形调制的半导体激光二极管(LD)驱动电源。
6) diode laser
半导体激光二极管
1.
During the last years eyesafe laser rangefinder technology based on high repetition rate pulse diode lasers,small size and work on non-cooperative targets has been developed rapidly in the world.
５ｍ，重复率为１ｋＨｚ，使用的半导体激光二极管和光电二极管都是国产元件。
补充资料：半导体二极管
半导体二极管
semiconductor diode
bondootle丁llgUon半导体二极管(semieonductor diode)具有两个电极和不对称电流一电压特性的双极型半导体器件。它的主要特点是具有单向导电性。所用的材料有硅、锗和化合物半导体。利用不同的材料，不同的掺杂浓度，不同的几何结构，可以制成不同用途、特性各异的半导体二极管。 分类按结构不同可分为点接触型半导体二极管和面接触型半导体二极管。①点接触型:由一根金属丝与半导体表面相接触形成的势垒而构成PN结，外加引线、管壳封装而成，如图1(a)所示。因其PN结面积小，结电容小，故适用于高频电路中，工作频率可达几百兆赫，但不能通过较大的电流，因而多用于高频的检波电路、混频电路中。肖特基二极管也是点接触型二极管，它的开启电压低，电荷存储效应小，能工作在更高的频率。②面接触型，如图l(b)、(。)所示。由于PN结的面积大，结电容大，故可通过较大的电流，适用于低频的整流电路中。攫鹭口 (a)P型扩散层/引线┌───────┐│卜\、门.卜火日│├───────┤│以以\ ││N型硅 │└───────┘图1半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型;(b)面接触型;(c)平面型;(d)图形符号工作原理半导体二极管的核心是PN结。利用掺杂工艺使同一半导体(如本征硅半导体)的一侧形成P型半导体，在另一侧形成N型半导体。P型半导体内空穴很多(称多子)，电子很少(称少子);N型半导体内电子很多(称多子)，空穴很少(称少子)。这样，在P型和N型半导体的交界处的区域内将形成PN结。P型侧的引线为二极管的阳极，N型侧的引线为二极管的阴极。 PN结的形成如图2(a)所示，在P型半导体和N型半导体的交界处，P型一侧的空穴浓度高，N型一侧的空穴浓度低。这种浓度差，导致空穴从P型侧向N型侧扩散，于是，P型侧在交界处便失去空穴，却留下带负电荷的负离子，如图2(a)中的“O”所示。由于浓度差造成的载流子移动称为扩散运动。同理，电子 (a，户户.。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条