1) mass renormalization
质量重整化
2) renormalized effective mass approximation
重整化有效质量近似
1.
p perturbation method, the dressed bands of semiconductors have been investigated using the renormalized effective mass approximation, dressed-band approximation and exact Floquet matrix method.
最后,主要采用(?)微扰方法,并利用缀饰带近似、重整化有效质量近似、以及Floquet矩阵方法研究了激光缀饰下半导体三能带模型。
3) renormalization of mass
质量重整比
4) moment renormalization
动量重整化
1.
In the Lorentz invariant coupling model of the interaction between nucleon N(antinucleon) and neutral meson π~0,the authors thoroughly analyze the moment regularization of N-loop propagator in the moment renormalization,and find that traditional minus-dividing can be substituted by the matrix function expanding.
采用核子N(反核子N-)与中性介子π0相互作用的Lorentz不变耦合模型,对N-N-圈图传播子在“动量重整化方案”中的“动量正规化”作了深入细致的分析与考证,发现可以采用“矩阵函数展开法”来替代通常采用的“传统减除法”,并由此对N-N-圈图传播子函数中的“发散量”与“有限量”作了十分简捷有效的分离,获得了“重整化有限量”的一个具有“明确计算含义”的表达式。
5) renormalization mass
重正化质量
1.
In this paper,renormalization mass of the surface polaron in polar crystals were studied.
讨论了极性半导体中表面极化子重正化质量的性质。
6) mass renormalization
质量重正化
补充资料：有效质量近似（effectivemassapproximation）
有效质量近似（effectivemassapproximation）
固体中电子在晶格势场或再附加有外力作用场中的运动，在用薛定谔（Schrödinger）方程研究电子能量E(K)（能带）时，与牛顿（Newton）力学对比定义的电子有效质量m*为
`M_{ij}^\**=\hbar^2//[\frac{\partial^2E(bb{K})}{\partialK_i\partialK_j}]`
(i,j=1,2,3)
它是二阶张量形式，这里K是波矢。在变换到主轴时为：$M_i^\**=\hbar^2//[\partial^2E(bb{K})//\partialK_i^2]$，$\hbar$为除以2π的普朗克常数。m*中实际包含了晶格场的作用，且与K有关，所以与自由电子质量m有区别。但电子能谱较复杂时，理论上要精确定出m*值是困难的，因此对多体问题一般也是用近似方法去研究。这种准经典的m*可与经典牛顿力学比照，可使问题相对简化，将m*可看做参量对待，可与实验相对应来确定其值，但也仍是一种近似。所以一般称有效质量近似。这种近似对有外力场作用下和对各向异性晶体性质的研究可使问题简化。例如对各向异性超导体，利用这种近似，体现在各向异性性质上，用各向异性有效质量近似可方便地建立各向异性GL方程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条