1) abovecritical
临界以上的
2) supercritical
[英][,sju:pə'kritikəl] [美][,supɚ'krɪtəkḷ]
上临界的
3) subcritical
[英][,sʌb'kritikl] [美][,sʌb'krɪtɪkḷ]
亚临界的，临界以下的，次临界的，次临界
4) supercritical unit with capacity greater than 600 MW
600MW以上超临界机组
5) supercritical
[英][,sju:pə'kritikəl] [美][,supɚ'krɪtəkḷ]
上临界
1.
When this branching processes in random environments is subcritical, it is a certainty that its two copying processes can be migrated a supercritical branching processes in random environments through giving an acute probability generating function derivative.
给定一个繁衍概率母函数均值待定的两状态独立同分布随机环境分枝过程,证明了若该随机环境分枝过程是下临界的,则通过适当选择其繁衍概率母函数均值的取值后,它的两个独立复制过程总能够混合重组为一个上临界随机环境分枝过程;但反之,若该随机环境分枝过程是上临界的,则它的两个独立复制过程不一定总能够混合重组为一个下临界随机环境分枝过程。
2.
In the supercritical amphoteric branching processes with independent and identically distributed random environments,it is shown that,under the some conditions,there exist constants 0<α1,α2<+∞,0<C1,C2<+∞,such that the extinction probability starting with N individuals is bounded below by C1N-α1 and above by C2N-α2 for sufficiently large N.
d)随机环境上临界两性分枝过程灭绝概率的渐近上、下界。
6) upper critical point
上临界点
补充资料：BCS临界温度`T_c`公式（formulaofBCScriticaltemperature$T_c$）
BCS临界温度`T_c`公式（formulaofBCScriticaltemperature$T_c$）
简称BCSTc公式。在弱耦合条件下所给Tc公式为：
`k_BT_c=(1.14)\hbar\omega_Dexp(-1//N(0)V)`
由此知Tc∝ωD，ωD为德拜频率。但$\omega_D\proptoM^{-1/2}$，M为同位素原子质量。实验指出，Tc∝M-α，对一般元素α=1/2。故上式给出了超导的同位素效应。实验结果又显示，当N(0)V≤0.2时，BCS理论结果与实验的符合很好；0.20＜N(0)V＜0.3时有1的误差；N(0)V＞0.3时则误差增大较迅速。这里N(0)和V分别是T=0K时费米面上一种自旋取向的态密度和电子间净的有效吸引相互作用势强度。所以Tc受弱耦合($N(0)V\lt\lt1$)的限制，其最高Tc也受到限制，不能接近ωD的最高值所对应的Tc。BCS理论机制估计的最高Tc一般约30K左右，对金属氢估计可达252K。
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参考词条