补充资料：晶体生长实时观察术

晶体生长实时观察术
in-situ observation method of crystal growth

　　晶体生长实时观察术i。一、itu observationmethod of er邓tal盯owth进行晶体生长、并能直接观察和记录生长过程及环境相变化的技术。利用这种技术，既可得到毫米级或更大尺寸的单晶供研究分析用，又可对晶体生长过程进行深入研究。自20世纪70年代以来，晶体生长实时观察术发展迅速，已广泛用于气相、溶液相和高温熔体生长的研究。 迄今所有形成产业化生产的晶体都是在封闭炉内得到的。由于不能直接观察晶体生长过程，优质晶体的获得常带有一定的偶然性。利用晶体生长实时观察术，能直接了解不同材料的生长特性参数对生长过程的影响，从而指导大单晶生长方法的选择和生长条件的设置，以降低晶体生长成本并提高晶体的质量。 常用晶体生长实时观察术装置主要由3部分组成:观察部分，由光学系统和晶体生长室组成;控温部分，能对生长温度进行精确的控制和调整;记录部分，采用摄录象仪器对晶体生长界面形貌及环境相的变化进行记录。 观察部分是晶体生长实时观察术的核心，比较常用的是各种光学显微镜，它能在微米或亚微米量级的水平上观察晶体的生长过程，已广泛地应用于气相外延、低温溶液和高温熔体或熔盐(T<1600℃)的晶体生长研究。此外，由于环境相内热量和溶质的输运对晶体的生长和完整性起着重要作用，因此液流的运动也是观察的重要内容。对低扭水溶液晶体和有机晶体(如蛋白质)的生长，可采用多种光学干涉法、纹影法和全息相衬法来研究溶液中的质量和热量输运。X射线照相术也被用来观察高温半导体生长界面变化和熔体的对流状况。新发明的将晶体和流体运动观察汇于一体的高温纹影一微分干涉显微镜实时观察记录仪，可使高温氧化物晶体的生长条件变化、生长过程以及晶体完整性3者的相关研究成为可能，是晶体生长实时观察的一个重要进展。 (金蔚青)
　　

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