1) thin film photoresistor
薄膜光敏电阻
2) ZnO thin film varistors
ZnO薄膜压敏电阻
1.
Preparation of ZnO thin film varistors with sol-gel method;
sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻
3) Thin Film Thermistor
薄膜热敏电阻
1.
Failure Mechanism of Ni Thin Film Thermistors;
Ni薄膜热敏电阻失效机理研究
4) Pt thin film thermal resistors
铂薄膜热敏电阻
5) thin film thermistor
薄膜热敏电阻器
6) photoactive thin film
光敏薄膜
1.
The photoactive thin films of poly[2-methoxy-5-(2\'-ethylhexyloxy)-1,4phenylenevinylene] for polymer solar cells and the single-layer devices were prepared on tin-doped indium oxide substrates,followed by annealing treatment.
采用掺锡氧化铟玻璃作为衬底,制备了聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1-4-苯撑乙烯]光敏薄膜及其器件,研究了退火处理对薄膜形貌和光电性能的影响。
补充资料：压敏电阻器
具有非线性伏安特性并有抑制瞬态过电压作用的固态电压敏感元件。当端电压低于某一阈值时，压敏电阻器的电流几乎等于零；超过此阈值时，电流值随端电压的增大而急剧增加。压敏电阻器的非线性伏安特性是由压敏体（或称压敏结）电压降的变化而引起的，所以又称为非线性电阻器。表中列出常见的压敏电阻器的类别。
在电力工业中,常使用压敏材料制成避雷器阀片。反向特性的硒整流片和雪崩二极管等也具有压敏特性，但习惯上仍沿用各自的原名。
1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、TiO等)压敏电阻器也得到发展。
压敏电阻器主要用于限制有害的大气过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。用氧化锌压敏材料制成高压绝缘子,既有绝缘作用,又能实现瞬态过电压保护。此外，压敏电阻器在电子电路中可用于消火花、消噪音、稳压和函数变换等。
压敏电阻器的端电压超过某一阈值后，其伏安特性可用下式表示：
式中I为通过压敏电阻器的电流峰值，U为端电压峰值,C或A为材料常数,β为电流非线性指数,γ＝1/β为电压非线性指数。其他参数还有标称工作电压、压敏电压、漏电流、通流容量、单片承受能量和使用寿命等。
在电力工业中,常使用压敏材料制成避雷器阀片。反向特性的硒整流片和雪崩二极管等也具有压敏特性，但习惯上仍沿用各自的原名。
1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、TiO等)压敏电阻器也得到发展。
压敏电阻器主要用于限制有害的大气过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。用氧化锌压敏材料制成高压绝缘子,既有绝缘作用,又能实现瞬态过电压保护。此外，压敏电阻器在电子电路中可用于消火花、消噪音、稳压和函数变换等。
压敏电阻器的端电压超过某一阈值后，其伏安特性可用下式表示：
式中I为通过压敏电阻器的电流峰值，U为端电压峰值,C或A为材料常数,β为电流非线性指数,γ＝1/β为电压非线性指数。其他参数还有标称工作电压、压敏电压、漏电流、通流容量、单片承受能量和使用寿命等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条