1) band-filling model
满带模型，充填能带模型
2) energy band diagram
能带模型
3) Filling model
填充模型
1.
A filling model about an embryo bubble was proposed to describe structure of a cluster, and the order parameter was further analyzed.
应用胚泡的填充模型对团聚的结构问题进行了分析 ,并进一步提出团聚序参量的结构。
4) infill wall model
填充墙模型
5) Energy band theory model
能带理论模型
1.
In this paper, an improved energy band theory model, which is used to explain the magnetooptical properties and optical absorption of cerium substituted yttrium iron garnet (YIG) films, is presented.
提出一种新的能带理论模型,讨论Ce替代YIG石榴石薄膜的制备条件对其磁光性能及光吸收的影响。
6) analytical band model
解析能带模型
1.
By fitting the empirical pseudopotential band structure data using piecewise polynomials, an analytical band model of ZnS is presented for thin-film electroluminescent devices.
基于经验赝势法得到的能带结构数据,采用分段多项式拟合获得ZnS能带结构的解析表达式,建立解析能带模型。
补充资料：能带模型
分子式：
CAS号：
性质：用来描述固体中的电子在原子核点阵及其他所有电子的电场中运动情况的物理模型。当以电子满轨道的空轨道表征的一些孤立原子汇集成含有5×1022原子/cm3的该固体的晶格时，就形成了间隔很近的新的分子轨道，即基本连续的能带。满的成键轨道形成价带（VB），空的反键轨道形成导带（CB）。这些能带通常由禁带分开。根据禁带的宽窄，固体可分为半导体和绝缘体，若VB与CB重叠，则为金属导体。
CAS号：
性质：用来描述固体中的电子在原子核点阵及其他所有电子的电场中运动情况的物理模型。当以电子满轨道的空轨道表征的一些孤立原子汇集成含有5×1022原子/cm3的该固体的晶格时，就形成了间隔很近的新的分子轨道，即基本连续的能带。满的成键轨道形成价带（VB），空的反键轨道形成导带（CB）。这些能带通常由禁带分开。根据禁带的宽窄，固体可分为半导体和绝缘体，若VB与CB重叠，则为金属导体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条