2) medical ions
金属离子的掺杂
3) gold doping
掺金
1.
Electron beam evaporation, gold doping and step heat treatment were used in order to obtain better sensitivity, stability and selectivity in the films.
介绍了电子束蒸发WO3膜和以该膜为敏感材料的H2S气体传感器工艺,分析了膜的灵敏度和膜的稳定性以及掺金和分步热处理对器件性能的影
4) boron-doped diamond(BDD) film
硼掺杂的金刚石薄膜
5) boron-doped diamond (BDD) electrode
硼掺杂的金刚石(BDD)电极
6) Zinc sulfide,aluminum copper and gold-doped
掺杂铝、铜和金的硫化锌
补充资料:离子掺杂工艺
分子式:
CAS号:
性质:又称离子掺杂工艺,离子注入工艺。指在加速电场作用下,将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个,其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化,制备高分子驻极体;其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用,改变其荷电状态,从而增加载流子密度,提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低;掺杂浓度可控;掺杂区清晰;能实现大面积均匀掺杂;可在半导体内形成各种复杂的结构;适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多,通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
CAS号:
性质:又称离子掺杂工艺,离子注入工艺。指在加速电场作用下,将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个,其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化,制备高分子驻极体;其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用,改变其荷电状态,从而增加载流子密度,提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低;掺杂浓度可控;掺杂区清晰;能实现大面积均匀掺杂;可在半导体内形成各种复杂的结构;适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多,通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条