1) photodimer
光二聚物
2) Polymer light-emitting diode
聚合物发光二极管
1.
Polymer light-emitting diodes(PLED) were fabricated to investigate.
将少量(摩尔分数为1%~3%)含噻吩的窄带隙单体和宽带隙硅芴单体进行共聚,合成了聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-甲基苯撑-4-基)-噻吩]}和聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-苯撑-4-基)-噻吩]}两类硅芴共聚物,通过紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱,并制作聚合物发光二极管器件测试电致发光光谱等手段,系统表征了两类硅芴共聚物材料的性能。
4) Polymer light emitting diode
聚合物发光二极管
1.
In order to get higher contrast for polymer light emitting diode(PLED), a novel optical interfe-(rence) structure outside the PLED functional layers is designed.
为了得到高对比度的聚合物发光二极管(PLED),设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。
5) Polymer light-emitting diodes
聚合物发光二极管
1.
Polymer light-emitting diodes(PLEDs)devices based on MEH-PPV were fabricated.
在以聚合物发光材料poly(2-methoxy-5-(2-′ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的聚合物poly(ethyleneoxide)(PEO),发光器件的发光性能有所提高,尤其是PEO/LiF共同对Al电极修饰时发光器件的开启电压、发光强度、电流效率等性能显著提高。
2.
The interface between metals and organic semiconductors plays a central role in the physics of polymer light-emitting diodes.
在以聚合物发光材料MEH PPV为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的金属氟化物,发光器件的发光性能有所提高,而且绝缘层的厚度会影响器件性能提高的最终效果。
6) PLED
聚合物发光二极管
1.
Polymer light-emitting diodes (PLED) were fabricated using novel conjugated polyelectrolytes poly [9,9-dioctylfluorene-9,9-(bis(3′-(N,N-dimethyl)- N-ethylammonium bromide)propyl) fluorene-4,7-dithienyl-2,1,3-benzoselenadiazole](PFNBr-DBSe).
利用新型的聚[9,9-二辛基芴-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵+溴-)丙基)芴-4,7-二噻吩-2-基-2,1,3-苯并硒二唑](PFNBr-DBSe)共扼聚电解质制备了聚合物发光二极管。
2.
A negative resistance phenomenon and a "hesitancy effect",which is similar as that in inorganic semiconductor devices,are found in polymer light emitting devices (PLED).
对聚合物发光二极管 I- V特性的测量发现 ,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性 。
补充资料：发光二极管材料
发光二极管材料
light emitting diode's materials
发光二极管材料light emitting diode/5 materials用于制作发光二极管的材料。发光二极管(L ED)是一种加正向电压时能发出可见光的结型电致发光器件。其结构见图a。它的核心部分是管芯，由PN结和电极构成(图b)。加正向电压时，PN结的势垒高度下降，N区的电子与P区的空穴分别越过势垒进入P区与N区，注入的少子在扩散过程中与多子辐射复合时，便将多余的能量以光的形式放出，从而将电能直接转换成光能。加反向电压时，结势垒升高，少子难以注入，故不产生光管芯透明管帽┌─┬──┐│「│二」││} │ ││L │ │├─┼──┤│二│{} │├─┼──┤│ │ │└─┴──┘Pmlj电极P卿层N塑层N侧电极 发光二极管结构 制备发光二极管的材料主要是一些宽禁带的nl-V族半导体及其混晶。发光二极管所使用的材料、制作方法和器件性能见表。 LED的发光颜色或主峰波长久，主要由材料的禁带宽度凡决定。二者的关系是几(nm)共1240凡(eV)在可见光区，从400lun的紫光到700nm的红光，对应的凡范围是3.1一1.seV。由此可知，要想得到某种发光颜色的LED，就需用相应带隙的发光材料来制作。 材料的发光效率与材料自身的能带结构密切相关。具有直接跃迁类型的材料有较高的辐射复合效率。因此，在选择LED材料时，除带隙合适外，还要尽量选用直接跃迁型材料。磷化稼(GaP)是一种宽带隙的间接跃迁型材料(凡二2.26eV)，本身的发光效率很低，但掺入某些特殊杂质如等电子杂质氮(NZ)或锌氧(Zn一O)对后，跃迁类型就变成类似直接跃迁型，有很高的辐射复合效率，因而被用于制作绿光与红光器件。
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参考词条