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1)  light gating
光选通
2)  laser gating
激光选通
3)  photon gated
光子选通
4)  hole depth
选通光
1.
heoretical work on the relationship between the hole depth and different gating light schemes in photon gated spectral hole burning under the weak field limit was reported.
本文从理论上分析了低激发密度下,选通光分别为脉冲光和连续光时,孔深随时间的变化,得到可以通过脉冲光烧孔、连续光选通的方法缩短烧孔时间。
5)  Twocolor photogated
双光子选通
6)  gate circuit,gating circuit
选通电路<光>
补充资料:光子选通光谱烧孔光存储材料


光子选通光谱烧孔光存储材料
photogated spectral hole burning optical storage materials

光子选通光谱烧孔光存储材料photogatedsPeetral hole burning oPtieal storage materials当有选通光存在时,利用窄线激光光束,在材料的不均匀增宽吸收线上烧出持久光谱孔,作为二进制数字编码的光盘存储材料。由于增加了频率范畴的烧孔,使原有平面内的烧孔密度进一步扩大。这实际上是一种高密度频域光存储材料。 激光引起的持久光谱烧孔现象在许多有机和无机系统中存在,其中由于光学中心微观环境的不等价效应,引起吸收线的不均匀增宽。在这种情况下,吸收线内特定频率的吸收是与某一等价中心子集相应的。这样,利用一线宽适当窄的可调谐激光束,就能在不均匀线内选择一组吸收与激光频率共振的子集(离子或分子),激发或引起其产生光物理或光化学变化,而由于这种离子的减少,就引起原来不均匀增宽吸收线上相应频率处吸收的减少,形成凹陷,产生了所谓的持久光谱烧孔。 单频激光烧孔(或称单光子烧孔)作为光存储应用时,由于读出光与写入光频率相同,读出时仍有烧孔效应,反复读出后,不可避免地要引起孔的退化和信噪比的降低。 光子选通烧孔不同,其中,烧孔是经过两步过程完成的。第一步是选择激发过程,它保证在不同子集之间不发生相互作用的条件下,通过调谐激光频率,在不均匀增宽吸收线内选择一组离子(分子)子集激发,使之达到某一中间态;第二步是利用频率不同的选通激光,进一步作用于已被激发的离子(或分子),使其产生某种光物理或光化学变化(如光电离、光解离,施主受主电子转移等),由于这部分离子的减少,就在不均匀吸收线上产生了孔,在光存储应用中即表现为信息写入过程。信息的读出,也就是孔的探测过程。这时只须用一与选择激发同样频率范围的可调谐激光器,通过测吸收或激发光谱的方法,在整个不均匀吸收线上,探测有孔或无孔来完成。由于不加选通光,只用一束光探测,从而避免了孔退化和信噪比降低。 通常,光谱孔的频宽△。h近似地为均匀线宽的两倍,△。h一2△。H,在不均匀增宽线上能烧出孔的数目,可由不均匀线宽△。i对孔宽△。h之比(△。l’/△。h)来确定。在液氦温度下,对某些材料可达10“一10‘的量级。这样,对于一束聚焦到1召m直径的光斑点(其平面密度相当于107一10sbit/cm),利用光谱烧孔来存储信息,可将存储密度提高到10‘。bit/cm的量级。 这种烧孔大多在低温下进行。随着温度升高,孔宽增加,存储密度将减小。在一定的温度以上不再能烧孔,或已烧出的孔消失,从而达到擦除的目的。除了这种热擦除以外,低温下的孔主要通过特定波长的光照来擦除,因而被用来做可擦除光存储器件。
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参考词条