1) intrinsic carrier
本徵载流子
2) intrinsic carrier
本征载流子
3) intrinsic carrier concentration
本征载流子浓度
1.
In this paper,a model for the intrinsic carrier concentration is developed and the intrinsic carrier concentration is calculated analytically with the varying of the temperature T,Ge fraction x and doping concentration.
采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。
4) intrinsic carrier density
本征载流子密度
5) interstitial siteintrinsic gettering
本徵吸器
6) extrinsic
[英][eks'trɪnsɪk] [美][ɛk'strɪnsɪk]
非本徵的
补充资料：本征载流子浓度（intrinsiccarrierconcentration）
本征载流子浓度（intrinsiccarrierconcentration）
本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条