1) absorption characteristic
吸收特性曲线
2) Photocyc
非线性吸收特性
3) adsorption characteristic curve
吸附特性曲线
1.
Based on the measured isotherm data under different temperature on the coal collected from Liulin coal district, the adsorption characteristic curve can be drawn and is described with an experimental equation in this paper.
本文根据不同温度下实测的等温吸附数据,以吸附势理论为指导,首先建立吸附特性曲线及其数学表达式,在已知一组等温吸附数据时计算任一温度下的吸附等温数据,为储层条件下的含气量预测提供了方法。
4) attractive characteristic curve
吸力特性曲线
5) sorption
[英]['sɔ:pʃən] [美]['sɔrpʃən]
吸收曲线
1.
The effect of model parameters on the sorption and desorption curves was simulated.
用Voigt蠕变模型和Flory-Huggins混合模型分别计算溶剂在高分子膜中吸收和解吸过程高分子的蠕变及与溶剂混合的吉氏函数变化,结合质量守恒建立了一个小分子在玻璃态聚合物中吸收和解吸的传递模型,模拟计算结果和对实际系统的吸收和解吸曲线的关联和预测结果表明,模型能很好地描述实验中常遇到的S形吸收曲线,并能根据吸收曲线的实验信息预测相应的解吸曲线。
2.
The sigmoid sorption curves and corresponding desorption curves can be satisfactorily simulated with this model and can be extended to the Fickian and case II diffusion.
该模型能很好地模拟具有Ｓ形的吸收曲线及对应的解吸曲线，并可推广应用于费克扩散和Ｉ类扩散情形；用不同相对压力下的两条实验吸收曲线可获得小分子在高分子膜中扩散系数随浓度变化的关系，并可预测其它相对压力下的吸收和解吸曲线。
6) absorption curve
吸收曲线
1.
The absorption curves of the three metals to X ray and the relationship between absorptances and the thickness of the metals are measured.
研究常见金属材料铁、铜、铝对工业X -射线的吸收规律 ,测定 3种材料对工业X -射线的吸收曲线及吸收系数与板厚的关系。
2.
The paper analyzes the parameters influence on absorption curve and second harmonic wave.
分析了各主要参数的变化对气体吸收曲线与二次谐波波形的影响。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条